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Anlage zur Diamantsynthese im Heißdrahtverfahren-Ausrüstung zur Diamantsynthese
Anlage zur Diamantsynthese im Heißdrahtverfahren-Kitano Seiki Co., Ltd.

Anlage zur Diamantsynthese im Heißdrahtverfahren
Kitano Seiki Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

■Funktionen

Bei diesem Gerät handelt es sich um ein Heißdraht-CVD-Gerät, das einen Wolframfaden verwendet und die Eigenschaften einer großflächigen und hochreinen Dünnschichtbildung ohne Plasmaschäden aufweist. Es wird häufig in den Bereichen elektronische Geräte wie P/N-Halbleiterdiamantsynthese und kristalline Siliziumsolarzellen eingesetzt. Dieses Gerät verfügt über eine geteilte Kammerstruktur, die eine einfache Wartung und Änderung der Hardwarebedingungen ermöglicht, und das leitungskonfigurierte Bedienfeld hat die Bedienteile, einschließlich der Gasleitung, auf der Vorderseite konzentriert, was die Bedienung erleichtert.

■Konfiguration

・φ600 Hochvakuum-Wasserkühlkammer ・TMP&RP-Abgaseinheit ・Kammerhebemechanismus ・Gasmischpanel (IN4-System OUT2-System) ・Bubbler-Schicht mit konstanter Temperatur

  • Produkt

    Anlage zur Diamantsynthese im Heißdrahtverfahren

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1 Modelle von Anlage zur Diamantsynthese im Heißdrahtverfahren

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) TC-Monitor Gasleitung Heizleistung heißer Draht Ultimatives Vakuum Heiztemperatur des Substrats Stichprobengröße
Anlage zur Diamantsynthese im Heißdrahtverfahren-Part Number-Ausrüstung zur Diamantsynthese

Ausrüstung zur Diamantsynthese

Auf Anfrage erhältlich

6 Punkte

2 gemischte Systeme

AC/DC35kW

φ0,6 Wolfram

≦1,0E-5Pa

Max. 800 ℃

100mm

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