SiC-Schottky-Diode
Towa Electronics Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

SiC-Schottky-Barrierendioden (SBDs) zeichnen sich durch eine hohe Sperrspannung aus. Wir bieten 650-V-SBDs an, die nicht nur über die für SBDs typische Hochgeschwindigkeits-Reverse-Recovery-Time (trr) verfügen, sondern auch über eine JBS-Struktur (Junction Barrier Schottky) verfügen und den für Schaltnetzteile erforderlichen niedrigen Leckstrom (Ir) und hohen Stoßstrom erreichen. Dieses Gerät ermöglicht hocheffiziente Schaltnetzteile.

■ProduktübersichtRoHS-kompatible(s) Produkt(e) (#) Kompatibles Produkt verfügbar

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Produkt
SiC-Schottky-Diode

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1 Modelle von SiC-Schottky-Diode

Bild	Teilenummer	Preis (ohne Steuern)	Verpackungsabmessungen Breite x Länge x Höhe (mm)	Anzahl der Pins	wiederkehrende Spitzensperrspannung	interne Verbindung	Anzahl der Schaltkreise	Implementierungskategorie	Name des Toshiba-Pakets	Merkmale	Zweck	DC-Vorwärtsstrom	Rückstrom (Max)	Durchlassspannung (Max)	Durchlassspannung (typ.)
	TRS10A65F	Auf Anfrage erhältlich	10,0×15,0×4,5	2	650V	einzel	1	Bleieinführung	TO-220F-2L	Chipdesign der 2. Generation	Für Schaltkreise zur Verbesserung des Leistungsfaktors/für Solarwechselrichter/für unterbrechungsfreie Stromversorgungen/für DC-DC-Wandler	10A	50μA	1,6V	1,45 V

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