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Halbleiter-IEGT (PPI)Verarbeitendes Unternehmen
Towa Electronics Co., Ltd.Bild | Teilenummer | Preis (ohne Steuern) | Kollektor-Emitter-Spannung/wiederkehrende Spitzensperrspannung | Kollektorstrom (DC) / Durchlassstrom (DC) | Verpackungsabmessungen Breite x Länge x Höhe (mm) | Anzahl der Pins | Schaltungskonfiguration | Implementierungskategorie | Sperrschichttemperatur | Name des Toshiba-Pakets | Merkmale | Zweck | Reverse-Recovery-Verlust (Typ.) | Durchlassspannung (Max) |
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![]() |
3000GXHH32 |
Auf Anfrage erhältlich |
4.500 V |
3.000 A |
120×120×26 |
2 |
1in1 |
Oberflächenmontage |
150℃ |
3-120D2S |
Alle Diodentypen |
Für Hochleistungsschaltungen (Leistungsumwandlung, Motorantrieb) |
5,6 J |
3,6V |
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