Halbleiter-IGBT
Towa Electronics Co., Ltd.

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5.0

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Über dieses Produkt

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ist ein Schaltelement, das zwischen Kollektor und Emitter ein- und ausschalten kann, indem es die Spannung zwischen Gate und Emitter steuert, ähnlich einem MOSFET.

Unsere IGBTs werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, von Haushaltsgeräten bis hin zu elektrischen Schienenfahrzeugen. Diskrete IGBTs werden in Haushaltsgeräten wie IH-Kochern, Reiskochern, Mikrowellenherden, Kühlschränken, Waschmaschinen und Klimaanlagen verwendet. Die Kollektor-Emitter-Spannung des diskreten Produkts beträgt 300 V bis 1.800 V und der DC-Nennstrom beträgt 5 bis 80 A, was eine höhere Spannung und eine höhere Stromsteuerung als typische MOSFETs aus Si (Silizium)-Material ermöglicht.

■ProduktübersichtRoHS-kompatible(s) Produkt(e) (#) Kompatibles Produkt verfügbar

Modell
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Produkt
Halbleiter-IGBT

Verarbeitendes Unternehmen
Towa Electronics Co., Ltd.

Kategorien

Schalter

IGBTs

Transistor

Leistungstransistoren

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1 Modelle von Halbleiter-IGBT

Bild	Teilenummer	Preis (ohne Steuern)	JEITA	Kollektor-Emitter-Spannung	Kollektorstrom	Eingebaute Diode	Verpackungsabmessungen Breite x Länge x Höhe (mm)	Anzahl der Pins	Anzahl der Schaltkreise	Implementierungskategorie	Name des Toshiba-Pakets	Merkmale
	GT15J341	Auf Anfrage erhältlich	SC-67	600V	15A	kann sein	10,0×15,0×4,5	3	2	Bleieinführung	TO-220SIS	niedrige Sättigungsspannung

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