DIAC bidirektionales Silizium-Schaltelement BS08D-BS08D

DIAC bidirektionales Silizium-Schaltelement BS08D
Isahaya Electronics Co., Ltd.

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■ZusammenfassungDas Silizium-Bidirektional-Schaltgerät (SBS) BS08D ist ein integrierter Schaltkreis mit bidirektionalen Schalteigenschaften, der mithilfe der Silizium-Planardiffusionstechnologie hergestellt wird. Die statischen Eigenschaften sind in beide Richtungen nahezu symmetrisch, die Schaltspannung beträgt 7 bis 9 V und der Temperaturkoeffizient beträgt 0,01 %/℃, was ihn ideal für die Ansteuerung verschiedener Thyristoren macht.

■Funktionen-Schaltspannung ist niedrig, 7 bis 9 V. VS=7~9V
- Hervorragende Temperatureigenschaften der Schaltspannung, 0,01 %/℃.
- Schaltvorgänge können mithilfe von Gate-Elektroden einfach gesteuert und synchronisiert werden.

■AnwendungenThyristor-Triac-Triggerschaltung, Oszillator, Timer

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DIAC bidirektionales Silizium-Schaltelement BS08D

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Diode

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Bild	Teilenummer	Preis (ohne Steuern)	IT (mA)	ITRM (A)	JEDEC-Paket	P (mW)	VS (V)	VT (V)	Isahaya-Paket	Bemerkungen	Zusammensetzung
	BS08D	Auf Anfrage erhältlich	175 (Ta=25℃)	1,0 (1 % Einschaltdauer, tw=10us, Ta=100℃)	TO-92S	450	7~9	~1,4	Mikro	Entspricht BS08A	Auslöseelement

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