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Transistor-Array MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET) INJ0002AC1-INJ0002AC1
Transistor-Array MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET) INJ0002AC1-Isahaya Electronics Co., Ltd.

Transistor-Array MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET) INJ0002AC1
Isahaya Electronics Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

■Zusammenfassung

INJ0002AX ist ein ultrakleiner externer, harzversiegelter Silizium-P-Kanal-MOS-Transistor. Er ist für Niederspannungsantrieb und niedrigen Einschaltwiderstand ausgelegt und eignet sich daher ideal für Niederspannungsanwendungen wie tragbare Geräte.

■Funktionen

・Aufgrund der hohen Eingangsimpedanz besteht keine Notwendigkeit, den Antriebsstrom zu berücksichtigen. ・Antriebsspannung -2,5 V ・RDS (EIN) ist niedrig. RDS (EIN) =3Ω (TYP) @ID=-100mA,VGs=-4,0V - Schnelle Schaltgeschwindigkeit. - Die ultrakompakte Größe ermöglicht kleinere Sets und eine Montage mit hoher Dichte.

■Anwendungen

Hochgeschwindigkeitsumschaltung, analoge Umschaltung usw.

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    Transistor-Array MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET) INJ0002AC1

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1 Modelle von Transistor-Array MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET) INJ0002AC1

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) Ciss (pF) Koss (pF) ID (A) JEITA-Paket P (mW) Ron (Ω) VDSS (V) VGSS (V) toff (ns) Tonnen (ns) Isahaya-Paket Polarität Antriebsspannung (V)
Transistor-Array MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET) INJ0002AC1-Part Number-INJ0002AC1

INJ0002AC1

Auf Anfrage erhältlich

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7.3

-0,2

SC-59

200

3

-30

±8

100

14

Mini-Typ

Pch

-2,5

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