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Diskrete Avalanche-garantierte Schottky-Barriere-Diode-UCHD30A09
Diskrete Avalanche-garantierte Schottky-Barriere-Diode-Kyocera Corporation

Diskrete Avalanche-garantierte Schottky-Barriere-Diode
Kyocera Corporation

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Über dieses Produkt

Eine Schottky-Barrierediode ist eine Diode, die anstelle eines PN-Übergangs eine Potentialbarriere (Schottky-Barriere) nutzt, die durch den Kontakt zwischen einer Metallelektrode und einem (n-Typ)-Halbleiter erzeugt wird. Im Vergleich zu allgemeinen PN-Übergangsdioden verfügen sie über eine niedrigere Durchlassspannung (VF) und eine kürzere Sperrerholungszeit (trr), wodurch sie für Schaltvorgänge geeignet sind.

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    Diskrete Avalanche-garantierte Schottky-Barriere-Diode

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1 Modelle von Diskrete Avalanche-garantierte Schottky-Barriere-Diode

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) AEC-Q Verbindungstyp IFSM (A) IR (mA) Io (A) PRRSM (W) RoHS-Konformitätsstatus Rth (j-c) (℃/W) VFM (V) VRRM (V) Serie Betriebstemperaturbereich Verpackungseinheit Verpackungsform Gewicht
Diskrete Avalanche-garantierte Schottky-Barriere-Diode-Part Number-UCHD30A09

UCHD30A09

Auf Anfrage erhältlich

AEC-Q101

E

250,0A

0,100 mA

30,0A

195W

Ja

1,50℃/W

0,79 V

90V

T.U.

-40℃ ~ 150℃

2.000

Spule

0,590 g

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