SiC-Verbundwafer vom N-Typ-SiC-Verbundwafer vom N-Typ

SiC-Verbundwafer vom N-Typ
Toyominato Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

Verbundwafer sind Hochleistungssubstratmaterialien, die durch die Kombination zweier oder mehrerer verschiedener Materialien in einem speziellen Verfahren hergestellt werden.

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Produkt
SiC-Verbundwafer vom N-Typ

Verarbeitendes Unternehmen
Toyominato Co., Ltd.

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Herstellung von Halbleitern

Halbleiter-Materialien

Chemikalie

Siliziumkarbid

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1 Modelle von SiC-Verbundwafer vom N-Typ

Bild	Teilenummer	Preis (ohne Steuern)	Typ	Widerstand	Durchmesser
	SiC-Verbundwafer vom N-Typ	Auf Anfrage erhältlich	4H	0,015–0,025 Ωcm	150 ± 0,2 mm

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