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4-Zoll-Ga2O3-Wafer-4-Zoll-Ga2O3-Wafer
4-Zoll-Ga2O3-Wafer-Toyominato Co., Ltd.

4-Zoll-Ga2O3-Wafer
Toyominato Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

Galliumoxid wird aufgrund seiner hohen Durchbruchspannung und seines niedrigen Einschaltwiderstands häufig in leistungselektronischen Geräten verwendet. Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichter, Hochgeschwindigkeits-Schienenstromübertragung und andere Bereiche haben Potenzial. Die verbotene Bandbreite von Galliumoxid erreicht 4,85 eV und es weist eine ausgezeichnete Durchlässigkeit im sichtbaren Lichtwellenbereich auf. Dies macht es auf Bereiche wie die Erkundung von sonnenblindem Ultraviolett und die Erforschung von Strahlung anwendbar. Unter Ausnutzung der geringen Fehlanpassung von Galliumoxid-Einkristallen und GaN wird es zur Züchtung von GaN verwendet, um leistungsstarke Hochfrequenzgeräte herzustellen, die voraussichtlich in der 5G-Kommunikation eingesetzt werden.

■Dotierung: UID, Sn, Mg/Fe

Nd-Na/Widerstand: 10^16 bis 10^17 cm-3, >10^18 cm-3, ≥10^10 Ω cm

  • Produkt

    4-Zoll-Ga2O3-Wafer

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1 Modelle von 4-Zoll-Ga2O3-Wafer

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) Dicke Durchmesser Kristallorientierung Oberfläche Versetzungsdichte
4-Zoll-Ga2O3-Wafer-Part Number-4-Zoll-Ga2O3-Wafer

4-Zoll-Ga2O3-Wafer

Auf Anfrage erhältlich

0,65 ± 0,02 mm

100,0 ± 0,5 mm

-100

Einseitiger Spiegel/doppelseitiger Spiegel
Ra < 0,5 nm
Kristallebenenabweichung < ±1°

< 1 × 10^5 cm-2

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