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GaN-Substrat (quadratisch)-GaN-Substrat (quadratisch)
GaN-Substrat (quadratisch)-Toyominato Co., Ltd.

GaN-Substrat (quadratisch)
Toyominato Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

Wir bieten Lösungen, die modernste GaN-Technologie nutzen, einschließlich GaN-Substrate (Galliumnitrid), GaN-Vorlagen, Power-Epi-Wafer, RGB-Micro-LED-Epi-Wafer und hybrid integrierte RGB-Micro-LED-Chips.

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    GaN-Substrat (quadratisch)

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1 Modelle von GaN-Substrat (quadratisch)

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) Größe Dicke Leitfähiger Typ Wirkungsbereich Versetzungsdichte Flugzeugrichtung
GaN-Substrat (quadratisch)-Part Number-GaN-Substrat (quadratisch)

GaN-Substrat (quadratisch)

Auf Anfrage erhältlich

(10 ± 0,5) × (15 ± 0,5) mm2
Maßgeschneiderte Größe

400 ± 25 µm

・N-Typ (nicht dotiert)
・N-Typ (Siliziumdotiert)
・Halbisolierend (kohlenstoffdotiert)

>90 %

<1 × 10^6 cm-2

C-Ebene (0001) außer Winkel zur M-Achse
0,35 ± 0,15° oder 0,55 ± 0,15°

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