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Produkt
GaN-SubstratVerarbeitendes Unternehmen
Toyominato Co., Ltd.Kategorien
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| Bild | Teilenummer | Preis (ohne Steuern) | Dicke | Durchmesser | Elektrische Eigenschaften (Typ: spezifischer Widerstand) | Flugzeugrichtung |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
2-Zoll-GaN-Substrat |
Auf Anfrage erhältlich |
490 µm ± 30 µm |
51,0 mm ± 0,3 mm |
・N-Typ (Silizium): ≤0,02 Ω·cm |
(0001) Ga-Face-C-Ebene |
|
4 Zoll GaN-Substrat |
Auf Anfrage erhältlich |
540 µm ± 30 µm |
100,2 mm ± 0,3 mm |
・N-Typ (Silizium): ≤0,02 Ω·cm |
(0001) Ga-Face-C-Ebene |
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