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GaN-Substrat-2-Zoll-GaN-Substrat
GaN-Substrat-Toyominato Co., Ltd.

GaN-Substrat
Toyominato Co., Ltd.

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Antwortquote

100.0%

Antwortzeit

23.2Stunden

Unternehmensbewertung

5.0

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Über dieses Produkt

Wir bieten Lösungen, die modernste GaN-Technologie nutzen, einschließlich GaN-Substrate (Galliumnitrid), GaN-Vorlagen, Power-Epi-Wafer, RGB-Micro-LED-Epi-Wafer und hybrid integrierte RGB-Micro-LED-Chips.

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    GaN-Substrat

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2 Modelle von GaN-Substrat

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Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) Dicke Durchmesser Elektrische Eigenschaften (Typ: spezifischer Widerstand) Flugzeugrichtung
GaN-Substrat-Part Number-2-Zoll-GaN-Substrat

2-Zoll-GaN-Substrat

Auf Anfrage erhältlich

490 µm ± 30 µm

51,0 mm ± 0,3 mm

・N-Typ (Silizium): ≤0,02 Ω·cm
・UID: ≤0,2 Ω cm
・Halbisolierend (Kohlenstoff): >1E8 Ω·cm

(0001) Ga-Face-C-Ebene

GaN-Substrat-Part Number-4 Zoll GaN-Substrat

4 Zoll GaN-Substrat

Auf Anfrage erhältlich

540 µm ± 30 µm

100,2 mm ± 0,3 mm

・N-Typ (Silizium): ≤0,02 Ω·cm
・UID: ≤0,2 Ω cm
・Halbisolierend (Kohlenstoff): >1E8 Ω·cm

(0001) Ga-Face-C-Ebene

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