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SiC-MOSFET-FCA100AC120
SiC-MOSFET-FCA150AC120
SiC-MOSFET-Sansha Electric Manufacturing Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

■Funktionen

Dieses Gerät überwindet das Hochgeschwindigkeitsschalten, das die Schwäche von IGBTs darstellt. SiC (Siliziumkarbid) hat eine zehnmal höhere dielektrische Durchschlagsfestigkeit als Si, sodass selbst bei gleicher Durchschlagsspannung die N-Driftschicht dünner ist und ein geringerer Einschaltwiderstand möglich ist. Sie zeichnen sich durch eine Leistung aus, die eine hohe Durchbruchspannung und einen niedrigen Einschaltwiderstand kombiniert. Durch den unipolaren Betrieb ist ein Hochgeschwindigkeitsschalten möglich.

■Anwendungen

Wird für verschiedene Wechselrichter, Induktionsheizung, Hochfrequenz-Plasma-Stromversorgungen, Motorsteuerung usw. verwendet.

  • Produkt

    SiC-MOSFET

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2 Modelle von SiC-MOSFET

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Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) Spannung V Strom (/Chip) A Aktuelle (/Gesamt) A
SiC-MOSFET-Part Number-FCA100AC120

FCA100AC120

Auf Anfrage erhältlich

1.200

100

100

SiC-MOSFET-Part Number-FCA150AC120

FCA150AC120

Auf Anfrage erhältlich

1.200

150

150

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