IGBT
Sansha Electric Manufacturing Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

■FunktionenUm MOSFETs mit hoher Durchbruchspannung herzustellen, ist es notwendig, die Driftschicht zu verdicken, was den Nachteil hat, dass sich der Einschaltwiderstand erhöht. IGBTs überwinden die mit höheren Durchbruchspannungen von MOSFETs verbundenen Schwächen, indem sie Löcher aus der P-Schicht auf der Rückseite in die N-Schicht injizieren und dabei eine Leitfähigkeitsmodulation nutzen, die den Widerstandswert senkt. Obwohl es langsamer als MOSFET ist, ist es ein Gerät, das eine hohe Spannungsfestigkeit und schnelles Schalten erreicht.

■AnwendungenEs wird in Hochspannungsanwendungen wie verschiedenen Wechselrichtern, gewerblichen Klimaanlagen und Schweißmaschinen eingesetzt.

Modell
Es gibt 2 Modelle für dieses Produkt.

Produkt
IGBT

Verarbeitendes Unternehmen
Sansha Electric Manufacturing Co., Ltd.

Kategorien

Schalter

Igbt-Module

Schalter

IGBTs

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Leistungsmodule

Transistor

Bipolare Transistoren

Transistor

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2 Modelle von IGBT

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Bild	Teilenummer	Preis (ohne Steuern)	Spannung V	Strom (/Chip) A	Aktuelle (/Gesamt) A
	GSA75AA120	Auf Anfrage erhältlich	1.200	75	75
	GSA100AA60	Auf Anfrage erhältlich	600	100	100

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