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GaN-Wafer Unpolares quadratisches GaN-Substrat (A-Seite und M-Seite)-GaN-FS-A-N-S
GaN-Wafer Unpolares quadratisches GaN-Substrat (A-Seite und M-Seite)-Toyominato Co., Ltd.

GaN-Wafer Unpolares quadratisches GaN-Substrat (A-Seite und M-Seite)
Toyominato Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

Wir bieten Lösungen, die modernste GaN-Technologie nutzen, einschließlich GaN-Substrate (Galliumnitrid), GaN-Vorlagen, Power-Epi-Wafer, RGB-Micro-LED-Epi-Wafer und hybrid integrierte RGB-Micro-LED-Chips.

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    GaN-Wafer Unpolares quadratisches GaN-Substrat (A-Seite und M-Seite)

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1 Modelle von GaN-Wafer Unpolares quadratisches GaN-Substrat (A-Seite und M-Seite)

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) Primäre Ausrichtung, flache Ausrichtung. Länge Größe Warp-BOGEN Plattenstärke leitfähiger Typ Ebenheit TTV Azimutebene Wirkungsbereich Verpackungsmethode Oberflächenbeschaffenheit Übergangsdefektdichte Elektrischer Widerstand (300 K)
GaN-Wafer Unpolares quadratisches GaN-Substrat (A-Seite und M-Seite)-Part Number-GaN-FS-A-N-S

GaN-FS-A-N-S

Auf Anfrage erhältlich

Ausrichtung flache Richtung (1-100) ± 0,5°
Orientierungsflachlänge 16 ± 1 mm

5 mm × 10 mm, ± 0,2 mm
5 mm × 20 mm, ± 0,2 mm

20 um oder weniger

350 ±25 um

N-Typ (undotiert)

15 um oder weniger

A-Seite (1.120) Seite ±1°
M-Ebene (1-100) Ebene ±1°

90 % oder mehr

In einem Reinraum mit Stickstoff gefüllt
Einzeln verpackt oder in einer Kassette mit 25 Blatt

Ga-Seite: CMP-Finish. Ra<0,2 nm. Epi-ready-Finish.
N-Seite: Feinschliff (nicht verspiegelt)

5×105 Stück/cm2 oder weniger

<0,5 Ω·cm

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