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GaN-Wafer Unpolares quadratisches GaN-Substrat (A-Seite und M-Seite)Verarbeitendes Unternehmen
Toyominato Co., Ltd.Kategorien
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| Bild | Teilenummer | Preis (ohne Steuern) | Primäre Ausrichtung, flache Ausrichtung. Länge | Größe | Warp-BOGEN | Plattenstärke | leitfähiger Typ | Ebenheit TTV | Azimutebene | Wirkungsbereich | Verpackungsmethode | Oberflächenbeschaffenheit | Übergangsdefektdichte | Elektrischer Widerstand (300 K) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GaN-FS-A-N-S |
Auf Anfrage erhältlich |
Ausrichtung flache Richtung (1-100) ± 0,5° |
5 mm × 10 mm, ± 0,2 mm |
20 um oder weniger |
350 ±25 um |
N-Typ (undotiert) |
15 um oder weniger |
A-Seite (1.120) Seite ±1° |
90 % oder mehr |
In einem Reinraum mit Stickstoff gefüllt |
Ga-Seite: CMP-Finish. Ra<0,2 nm. Epi-ready-Finish. |
5×105 Stück/cm2 oder weniger |
<0,5 Ω·cm |
|
|
GaN-FS-M-N-S |
Auf Anfrage erhältlich |
Ausrichtung flache Richtung (1-100) ± 0,5° |
5 mm × 10 mm, ± 0,2 mm |
20 um oder weniger |
350 ±25 um |
halbisolierend |
15 um oder weniger |
A-Seite (1.120) Seite ±1° |
90 % oder mehr |
In einem Reinraum mit Stickstoff gefüllt |
Ga-Seite: CMP-Finish. Ra<0,2 nm. Epi-ready-Finish. |
5×105 Stück/cm2 oder weniger |
>106Ω・cm |
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