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GaN-Wafer (φ2 Zoll) Freistehendes GaN-Substrat-GaN-FS-C-N-C50
GaN-Wafer (φ2 Zoll) Freistehendes GaN-Substrat-Toyominato Co., Ltd.

GaN-Wafer (φ2 Zoll) Freistehendes GaN-Substrat
Toyominato Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

Wir bieten Lösungen, die modernste GaN-Technologie nutzen, einschließlich GaN-Substrate (Galliumnitrid), GaN-Vorlagen, Power-Epi-Wafer, RGB-Micro-LED-Epi-Wafer und hybrid integrierte RGB-Micro-LED-Chips.

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    GaN-Wafer (φ2 Zoll) Freistehendes GaN-Substrat

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1 Modelle von GaN-Wafer (φ2 Zoll) Freistehendes GaN-Substrat

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) Primäre Ausrichtung, flache Ausrichtung. Länge Sekundäre Ausrichtung in flacher Richtung. Länge Waferdicke Warp-BOGEN leitfähiger Typ Ebenheit TTV Azimutebene Wirkungsbereich Verpackungsmethode Durchmesser Oberflächenbeschaffenheit Übergangsdefektdichte Elektrischer Widerstand (300 K)
GaN-Wafer (φ2 Zoll) Freistehendes GaN-Substrat-Part Number-GaN-FS-C-N-C50

GaN-FS-C-N-C50

Auf Anfrage erhältlich

Ausrichtung flache Richtung (1-100) ±0,5°
Orientierungsflachlänge 16 ± 1 mm

Ausrichtung flache Richtung (11-20) ±3°
Orientierungsflachlänge 8 ± 1 mm

350 ± 25 um

20 um oder weniger

N-Typ (undotiert)

15 um oder weniger

C-Ebene (0001) Ebene ± 1°

90 % oder mehr

In einem Reinraum mit Stickstoff gefüllt
Einzeln verpackt oder in einer Kassette mit 25 Blatt

φ50,8 mm ± 0,1 mm

Ga-Seite: CMP-Finish. Ra<0,2 nm. Epi-ready-Finish.
N-Seite: Feinschliff (nicht verspiegelt)

5×105 Stück/cm2 oder weniger

<0,5 Ω·cm

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