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GaN-Wafer (φ2 Zoll) Freistehendes GaN-SubstratVerarbeitendes Unternehmen
Toyominato Co., Ltd.Kategorien
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| Bild | Teilenummer | Preis (ohne Steuern) | Primäre Ausrichtung, flache Ausrichtung. Länge | Sekundäre Ausrichtung in flacher Richtung. Länge | Waferdicke | Warp-BOGEN | leitfähiger Typ | Ebenheit TTV | Azimutebene | Wirkungsbereich | Verpackungsmethode | Durchmesser | Oberflächenbeschaffenheit | Übergangsdefektdichte | Elektrischer Widerstand (300 K) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GaN-FS-C-N-C50 |
Auf Anfrage erhältlich |
Ausrichtung flache Richtung (1-100) ±0,5° |
Ausrichtung flache Richtung (11-20) ±3° |
350 ± 25 um |
20 um oder weniger |
N-Typ (undotiert) |
15 um oder weniger |
C-Ebene (0001) Ebene ± 1° |
90 % oder mehr |
In einem Reinraum mit Stickstoff gefüllt |
φ50,8 mm ± 0,1 mm |
Ga-Seite: CMP-Finish. Ra<0,2 nm. Epi-ready-Finish. |
5×105 Stück/cm2 oder weniger |
<0,5 Ω·cm |
|
|
GaN-FS-C-SI-C50 |
Auf Anfrage erhältlich |
Ausrichtung flache Richtung (1-100) ±0,5° |
Ausrichtung flache Richtung (11-20) ±3° |
350 ± 25 um |
20 um oder weniger |
halbisolierend |
15 um oder weniger |
C-Ebene (0001) Ebene ± 1° |
90 % oder mehr |
In einem Reinraum mit Stickstoff gefüllt |
φ50,8 mm ± 0,1 mm |
Ga-Seite: CMP-Finish. Ra<0,2 nm. Epi-ready-Finish. |
5×105 Stück/cm2 oder weniger |
>106Ω・cm |
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