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4-Zoll-GaN-Vorlage
Toyominato Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

Wir bieten Lösungen, die modernste GaN-Technologie nutzen, einschließlich GaN-Substrate (Galliumnitrid), GaN-Vorlagen, Power-Epi-Wafer, RGB-Micro-LED-Epi-Wafer und hybrid integrierte RGB-Micro-LED-Chips.

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    4-Zoll-GaN-Vorlage

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1 Modelle von 4-Zoll-GaN-Vorlage

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) GaN-Filmdicke Ausrichtung flache Richtung. Länge Vorstandsstruktur leitfähiger Typ Azimutebene Wirkungsbereich Verpackungsmethode Durchmesser Oberflächenbeschaffenheit Übergangsdefektdichte Elektrischer Widerstand (300 K)
4-Zoll-GaN-Vorlage-Part Number-GaN-T-C-N-C100

GaN-T-C-N-C100

Auf Anfrage erhältlich

4um
10~25um

Ausrichtung flache Richtung (1-100)
Orientierungsflachlänge 30 ± 1 mm

GaN/Saphir-Wafer (0001)-Oberfläche

N-Typ (undotiert)

C-Ebene (0001) Ebene ± 0,5°

90 % oder mehr

In einem Reinraum mit Stickstoff gefüllt
Einzeln verpackt oder in einer Kassette mit 25 Blatt

φ100 mm ± 0,1 mm

Ga-Seite: CMP-Finish
N-Seite: Feinerdung (Option: Optische Spiegeloberfläche)

5×108 Stück/cm2 oder weniger

<0,5 Ω·cm

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