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2-Zoll-GaN-VorlageVerarbeitendes Unternehmen
Toyominato Co., Ltd.Kategorien
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| Bild | Teilenummer | Preis (ohne Steuern) | GaN-Filmdicke | Ausrichtung flache Richtung. Länge | Vorstandsstruktur | leitfähiger Typ | Azimutebene | Wirkungsbereich | Verpackungsmethode | Durchmesser | Oberflächenbeschaffenheit | Übergangsdefektdichte | Elektrischer Widerstand (300 K) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GaN-T-C-N-C50 |
Auf Anfrage erhältlich |
4um |
Ausrichtung flache Richtung (1-100) |
GaN/Saphir-Wafer (0001)-Oberfläche |
N-Typ (undotiert) |
C-Ebene (0001) Ebene ± 0,5° |
90 % oder mehr |
In einem Reinraum mit Stickstoff gefüllt |
φ50,8 mm ± 0,1 mm |
Ga-Seite: CMP-Finish |
5×108 Stück/cm2 oder weniger |
<0,5 Ω·cm |
|
|
GaN-T-C-P-C50 |
Auf Anfrage erhältlich |
4um |
Ausrichtung flache Richtung (1-100) |
GaN/Saphir-Wafer (0001)-Oberfläche |
P-Typ |
C-Ebene (0001) Ebene ± 0,5° |
90 % oder mehr |
In einem Reinraum mit Stickstoff gefüllt |
φ50,8 mm ± 0,1 mm |
Ga-Seite: CMP-Finish |
5×108 Stück/cm2 oder weniger |
~10Ω・cm |
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