Feldeffekttransistor zur Niederfrequenzverstärkung, N-Kanal-Sperrschichttyp 2SK2881-2SK2881

Feldeffekttransistor zur Niederfrequenzverstärkung, N-Kanal-Sperrschichttyp 2SK2881
Isahaya Electronics Co., Ltd.

Antwortstatus von Isahaya Electronics Co., Ltd.

Antwortquote

100.0%

Antwortzeit

0.6Stunden

Unternehmensbewertung

5.0

Sehr schnelle Antwort

Über dieses Produkt

 Der 2SK2881 ist ein kleiner harzversiegelter N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, der für die Verstärkung niedriger Frequenzen und mit geringem Rauschen entwickelt und hergestellt wird. Er verfügt über besonders hervorragende Rauscheigenschaften und große Vorwärtsübertragungs-Admittanzeigenschaften, was ihn ideal als Spannungsverstärker für Audiogeräte macht.

Da außerdem der EIN-Widerstand zwischen Drain und Source gering ist, kann er auch als Analogschalter verwendet werden.

■Funktionen・Hochspannungswiderstand VGDO=VGSO=-50V
・|yfs|. ist groß |yfs|=8mS (Standard) (VDS=10V, ID=1mA, f=1kHz)
・Niedrige Rauschzahl NF=1,0 dB (Standard) (VDS=10 V, ID=1 mA, f=100 Hz, RG=1 kΩ)
・RDS (ON) ist klein RDS (ON) =70Ω (Standard)

■AnwendungenNiederfrequenzspannungsverstärkung, Analogschalter

Modell
Es gibt 1 Modell für dieses Produkt.

Produkt
Feldeffekttransistor zur Niederfrequenzverstärkung, N-Kanal-Sperrschichttyp 2SK2881

Verarbeitendes Unternehmen
Isahaya Electronics Co., Ltd.

Kategorien

Schalter

FETs

130+ Personen sehen

Zuletzt angesehen: vor 18 Stunden

Kostenlos
Beginnen Sie mit unserem kostenlosen Angebotsservice - keine Kosten, keine Verpflichtung.

Kein Telefon erforderlich
Wir respektieren Ihre Privatsphäre. Sie können Angebote erhalten, ohne Ihre Telefonnummer anzugeben.

1 Modelle von Feldeffekttransistor zur Niederfrequenzverstärkung, N-Kanal-Sperrschichttyp 2SK2881

Bild	Teilenummer	Preis (ohne Steuern)	Ciss (pF)	IDSS (mA)	IG (mA)	JEDEC-Paket	P (mW)	RDS (EIN) (Ω)	VGDO (V)	VGS (AUS) (V)	Isahaya-Paket	Bemerkungen	Polarität
	2SK2881	Auf Anfrage erhältlich	20	1 ~ 12	10	TO-92S	450	70	-50	-0,3~-3	Mikro	Entspricht 2SK108	Nch

Kunden, die dieses Produkt angesehen haben, haben auch angesehen

Die hier gezeigten Bewertungen sind Unternehmensbewertungen.

Foto-DMOS-FET-Relais, Fotokoppler, Fotounterbrecher, Näherungsschalter, Reed-Schalter

Nimatsu Electric Co., Ltd.

240+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 2 Stunden

Antwortzeit: 0.36 Stunden

FETs

12 Modelle aufgelistet

SiC-MOSFET

Sansha Electric Manufacturing Co., Ltd.

370+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 21 Stunden

Antwortzeit: 16.41 Stunden

FETs

20 Modelle aufgelistet

Diskreter / SiC-MOSFET

Sansha Electric Manufacturing Co., Ltd.

300+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 2 Stunden

Antwortzeit: 16.41 Stunden

FETs

8 Modelle aufgelistet

Feldeffekttransistor zur Niederfrequenzverstärkung, P-Kanal-Übergangstyp (Super-Mini-Typ) 2SJ145

Isahaya Electronics Co., Ltd.

5.0

100+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 9 Sekunden

Antwortzeit: 0.56 Stunden

FETs

Feldeffekttransistor zur Niederfrequenzverstärkung, P-Kanal-Übergang Typ 2SJ498

Isahaya Electronics Co., Ltd.

5.0

130+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 1 Stunde

Antwortzeit: 0.56 Stunden

FETs

Feldeffekttransistor zur Niederfrequenzverstärkung, N-Kanal-Sperrschichttyp 2SK2880

Isahaya Electronics Co., Ltd.

5.0

100+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 11 Stunden

Antwortzeit: 0.56 Stunden

FETs

Feldeffekttransistor zur Niederfrequenzverstärkung N-Kanal-Sperrschichttyp (Minityp) 2SK433

Isahaya Electronics Co., Ltd.

5.0

110+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 16 Stunden

Antwortzeit: 0.56 Stunden

FETs

Feldeffekttransistor zur Niederfrequenzverstärkung N-Kanal-Sperrschichttyp (Minityp) 2SK492

Isahaya Electronics Co., Ltd.

5.0

110+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 4 Stunden

Antwortzeit: 0.56 Stunden

FETs

MOS-Feldeffekttransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltung. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0001AX-Serie

Isahaya Electronics Co., Ltd.

5.0

140+ Personen sehen dies

Antwortzeit: 0.56 Stunden

FETs

3 Modelle aufgelistet

Feldeffekttransistor N-Kanal-Junction-FET zur Niederfrequenzverstärkung 2SK492-T150

Isahaya Electronics Co., Ltd.

5.0

110+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 3 Stunden

Antwortzeit: 0.56 Stunden

FETs

MOS-Feldeffekttransistor für schnelles Schalten. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0002AX-Serie

Isahaya Electronics Co., Ltd.

5.0

140+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 16 Stunden

Antwortzeit: 0.56 Stunden

FETs

3 Modelle aufgelistet

Feldeffekttransistor zur Niederfrequenzverstärkung N-Kanal-Sperrschichttyp (Super-Mini-Typ) 2SK930

Isahaya Electronics Co., Ltd.

5.0

120+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 15 Stunden

Antwortzeit: 0.56 Stunden

FETs

Mehr Produkte von FETs anzeigen

Weitere Produkte von Isahaya Electronics Co., Ltd.

Die hier gezeigten Bewertungen sind Unternehmensbewertungen.

Gate-Treiber IGBT-Treiber (Hybrid-IC-Typ)

Isahaya Electronics Co., Ltd.

5.0

200+ Personen sehen dies

Antwortzeit: 0.56 Stunden

Isolierte Gate-Treiber

6 Modelle aufgelistet

Hochpräziser Referenzspannungs-Shunt-Regler RT9H301C

Isahaya Electronics Co., Ltd.

5.0

210+ Personen sehen dies

Antwortzeit: 0.56 Stunden

Shunt-Regler

2 Modelle aufgelistet

Kundenspezifische Stromversorgung Motorsteuerungs-Wechselrichtereinheit IMD-S-Serie

Isahaya Electronics Co., Ltd.

5.0

170+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 4 Stunden

Antwortzeit: 0.56 Stunden

Kundenspezifische Stromversorgungen

Bipolartransistor Bipolartransistor 2SA1363

Isahaya Electronics Co., Ltd.

5.0

170+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 7 Stunden

Antwortzeit: 0.56 Stunden

Bipolare Transistoren

IGBT-Gate-Treiber IGBT-Treiber (Hybrid-IC-Typ) VLA567-11R

Isahaya Electronics Co., Ltd.

5.0

190+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 23 Stunden

Antwortzeit: 0.56 Stunden

Isolierte Gate-Treiber

5 Modelle aufgelistet

Zenerdiode INTB16VLAC1

Isahaya Electronics Co., Ltd.

5.0

160+ Personen sehen dies

Antwortzeit: 0.56 Stunden

Z-Dioden

2 Modelle aufgelistet

Schaltdiode MC2835

Isahaya Electronics Co., Ltd.

5.0

170+ Personen sehen dies

Antwortzeit: 0.56 Stunden

Kleinsignal-Dioden

2 Modelle aufgelistet

FET-Junction-Feldeffekttransistor (J-FET) 2SK2880

Isahaya Electronics Co., Ltd.

5.0

140+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 10 Stunden

Antwortzeit: 0.56 Stunden

Transistor-Array MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET) INJ0002AC1

Isahaya Electronics Co., Ltd.

5.0

150+ Personen sehen dies

Antwortzeit: 0.56 Stunden

Transistor-Arrays

DIAC bidirektionales Silizium-Schaltelement BS08D

Isahaya Electronics Co., Ltd.

5.0

200+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 3 Stunden

Antwortzeit: 0.56 Stunden

DIACs

Hybrid-IC für IGBT-Modul-Gate-Antrieb Hybrid-IC-Schaltung VLA500K-11R

Isahaya Electronics Co., Ltd.

5.0

150+ Personen sehen dies

Antwortzeit: 0.56 Stunden

Igbt-Module

5 Modelle aufgelistet

Voll-SiC-Modul-Gate-Treibermodul montierte Einheit VLA586-01R

Isahaya Electronics Co., Ltd.

5.0

180+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 19 Stunden

Antwortzeit: 0.56 Stunden

Isolierte Gate-Treiber

2 Modelle aufgelistet

Mehr Produkte von Isahaya Electronics Co., Ltd. anzeigen

Über das Unternehmen, das dieses Produkt anbietet

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Antwortquote

100.0%

Antwortzeit

0.6Std.

Unternehmensbewertung

5.0

Feldeffekttransistor zur Niederfrequenzverstärkung, N-Kanal-Sperrschichttyp 2SK2881 Isahaya Electronics Co., Ltd.

Antwortstatus von Isahaya Electronics Co., Ltd.

Über dieses Produkt

■Funktionen

■Anwendungen

1 Modelle von Feldeffekttransistor zur Niederfrequenzverstärkung, N-Kanal-Sperrschichttyp 2SK2881

2SK2881

Kunden, die dieses Produkt angesehen haben, haben auch angesehen

Weitere Produkte von Isahaya Electronics Co., Ltd.

Über das Unternehmen, das dieses Produkt anbietet

Verwandte Suchbegriffe

Feldeffekttransistor zur Niederfrequenzverstärkung, N-Kanal-Sperrschichttyp 2SK2881
Isahaya Electronics Co., Ltd.