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Silizium-NPN-Epitaxie-Doppeltransistor für Hochspannungsschalter RT3C88M-RT3C88M
Silizium-NPN-Epitaxie-Doppeltransistor für Hochspannungsschalter RT3C88M-Isahaya Electronics Co., Ltd.

Silizium-NPN-Epitaxie-Doppeltransistor für Hochspannungsschalter RT3C88M
Isahaya Electronics Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

RT3C88M ist ein Verbundtransistor mit zwei eingebauten NPN-Transistoren. Durch die Verwendung dieses Transistors ist es möglich, das Gerät zu verkleinern und die Anzahl der Produkte und Arbeitsstunden deutlich zu reduzieren.

■Funktionen

・Hohe Spannungsfestigkeit VCEO = 160 V ・Hoher DC-Stromverstärkungsfaktor ・Niedrige Kollektorsättigungsspannung VCE (sat) =0,15 V (maximal)

■Anwendungen

Für Hochspannungsschalter

  • Produkt

    Silizium-NPN-Epitaxie-Doppeltransistor für Hochspannungsschalter RT3C88M

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1 Modelle von Silizium-NPN-Epitaxie-Doppeltransistor für Hochspannungsschalter RT3C88M

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) AEC-kompatibel P (mW) TR1 IC (mA) TR1 VCEO (V) TR1 hFE TR2 IC (mA) TR2 VCEO (V) TR2 hFE Isahaya-Paket Bemerkungen
Silizium-NPN-Epitaxie-Doppeltransistor für Hochspannungsschalter RT3C88M-Part Number-RT3C88M

RT3C88M

Auf Anfrage erhältlich

NPN+NPN

200

100

160

200~500

100

160

200~500

SC-88

INC6017A×2

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