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Silizium-NPN-Epitaxie-Doppeltransistor für Differenzverstärkung RT3C66M-T150-RT3C66M-T150
Silizium-NPN-Epitaxie-Doppeltransistor für Differenzverstärkung RT3C66M-T150-Isahaya Electronics Co., Ltd.

Silizium-NPN-Epitaxie-Doppeltransistor für Differenzverstärkung RT3C66M-T150
Isahaya Electronics Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

RT3C66M ist ein Silizium-NPN-Epitaxie-Doppeltransistor mit guten Paareigenschaften, der für die Differenzverstärkung ausgelegt ist.

■Funktionen

・Hohe Spannungsfestigkeit VCEO = 160 V ・Gute Paareigenschaften hFE1/hFE2=1,0 Standard｜VBE1-VBE2｜=0mV Standard ・Hoher DC-Stromverstärkungsfaktor

■Anwendungen

Zur Differenzspannungsverstärkung

  • Produkt

    Silizium-NPN-Epitaxie-Doppeltransistor für Differenzverstärkung RT3C66M-T150

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1 Modelle von Silizium-NPN-Epitaxie-Doppeltransistor für Differenzverstärkung RT3C66M-T150

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) AEC-kompatibel JEDEC-Paket P (mW) TR1 IC (mA) TR1 VCEO (V) TR1 hFE TR2 IC (mA) TR2 VCEO (V) TR2 hFE Isahaya-Paket Bemerkungen
Silizium-NPN-Epitaxie-Doppeltransistor für Differenzverstärkung RT3C66M-T150-Part Number-RT3C66M-T150

RT3C66M-T150

Auf Anfrage erhältlich

NPN+NPN

○

200

100

160

72~330

100

160

72~330

SC-88

INC6006A×2

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