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Silizium-PNP-Epitaxie-Doppeltransistor für rauscharme Differenzverstärkung RT3A66M-RT3A66M
Silizium-PNP-Epitaxie-Doppeltransistor für rauscharme Differenzverstärkung RT3A66M-Isahaya Electronics Co., Ltd.

Silizium-PNP-Epitaxie-Doppeltransistor für rauscharme Differenzverstärkung RT3A66M
Isahaya Electronics Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

RT3A66M ist ein Silizium-PNP-Epitaxie-Doppeltransistor mit guten Paareigenschaften, der für die Differenzverstärkung ausgelegt ist.

■Funktionen

・Hochspannungswiderstand VCEO=-150V ・Gute Paareigenschaften hFE1/hFE2=1,0 Standard｜VBE1-VBE2｜=0mV Standard ・Hoher DC-Stromverstärkungsfaktor

■Anwendungen

Zur Differenzspannungsverstärkung

  • Produkt

    Silizium-PNP-Epitaxie-Doppeltransistor für rauscharme Differenzverstärkung RT3A66M

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1 Modelle von Silizium-PNP-Epitaxie-Doppeltransistor für rauscharme Differenzverstärkung RT3A66M

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) AEC-kompatibel P (mW) TR1 IC (mA) TR1 VCEO (V) TR1 hFE TR2 IC (mA) TR2 VCEO (V) TR2 hFE Isahaya-Paket Bemerkungen
Silizium-PNP-Epitaxie-Doppeltransistor für rauscharme Differenzverstärkung RT3A66M-Part Number-RT3A66M

RT3A66M

Auf Anfrage erhältlich

PNP+PNP

200

-100

-150

90~270

-100

-150

90~270

SC-88

INA6006A×2

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