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Widerstandshaltiger Transistor zum Schalten von Silizium-NPN-Epitaxietyp RT1N137S-RT1N137S
Widerstandshaltiger Transistor zum Schalten von Silizium-NPN-Epitaxietyp RT1N137S-Isahaya Electronics Co., Ltd.

Widerstandshaltiger Transistor zum Schalten von Silizium-NPN-Epitaxietyp RT1N137S
Isahaya Electronics Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

RT1N137S ist ein Single-Chip-Verbundtransistor, der einen Vorspannungswiderstand in einen Transistor integriert. Durch die Verwendung dieses Transistors ist es möglich, das Gerät zu verkleinern und die Anzahl der Teile und Arbeitsstunden deutlich zu reduzieren.

■Funktionen

・Eingebauter Vorspannungswiderstand (R1=1kΩ, R2=22kΩ) ・Großer Kollektorstrom IC=1A ・VCE (sat) ist niedrig VCE (sat) =0,3 V (@IC=300 mA/IB=3 mA)

■Anwendungen

Wechselrichterschaltung, Schaltschaltung, Schnittstellenschaltung, Treiberschaltung

  • Produkt

    Widerstandshaltiger Transistor zum Schalten von Silizium-NPN-Epitaxietyp RT1N137S

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1 Modelle von Widerstandshaltiger Transistor zum Schalten von Silizium-NPN-Epitaxietyp RT1N137S

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) IC (mA) JEDEC-Paket P (mW) R1 (KΩ) R2 (KΩ) VCEO (V) VI (AUS) (V) (Min.) VI (EIN) (V) (max) hFE (min.) Polarität
Widerstandshaltiger Transistor zum Schalten von Silizium-NPN-Epitaxietyp RT1N137S-Part Number-RT1N137S

RT1N137S

Auf Anfrage erhältlich

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TO-92S

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NPN

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