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MOS-Feldeffekttransistor Für schnelles Schalten. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0103AM1-INJ0103AM1
MOS-Feldeffekttransistor Für schnelles Schalten. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0103AM1-Isahaya Electronics Co., Ltd.

MOS-Feldeffekttransistor Für schnelles Schalten. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0103AM1
Isahaya Electronics Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

INJ0103AM1 ist ein ultrakleiner, harzversiegelter Silizium-P-Kanal-MOS-Transistor. Er ist für Niederspannungsantrieb und niedrigen Einschaltwiderstand ausgelegt und eignet sich daher ideal für Niederspannungsanwendungen wie tragbare Geräte.

■Funktionen

- Hohe Eingangsimpedanz, keine Berücksichtigung des Antriebsstroms erforderlich. ・Antriebsspannung -1,8 V ・RDS (EIN) ist niedrig. RDS (EIN) =0,67ΩTYP) @ID =-400mA,VGs =-4,5V RDS (EIN) = 1,1 (TYP) @ID = -300 mA, VGS = -2,5 V RDS (EIN) =1,6ΩTYP) @ID =-10mA,VGs =-1,8V - Schnelle Schaltgeschwindigkeit. - Die ultrakompakte Größe ermöglicht kleinere Sets und eine Montage mit hoher Dichte.

■Anwendungen

Hochgeschwindigkeitsumschaltung, analoge Umschaltung usw.

  • Produkt

    MOS-Feldeffekttransistor Für schnelles Schalten. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0103AM1

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1 Modelle von MOS-Feldeffekttransistor Für schnelles Schalten. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0103AM1

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) Ciss (pF) Koss (pF) ID (A) JEITA-Paket P (mW) Ron (Ω) VDSS (V) VGSS (V) toff (ns) Tonnen (ns) Isahaya-Paket Polarität Antriebsspannung (V)
MOS-Feldeffekttransistor Für schnelles Schalten. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0103AM1-Part Number-INJ0103AM1

INJ0103AM1

Auf Anfrage erhältlich

57

20

-0,55

SC-70

200

0,67

-20

±8

140

42

Super-Mini-Typ

Pch

-1,8

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