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MOS-Feldeffekttransistor Für Ultra-Niederspannungs-Ansteuerung Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0043AM1-INJ0043AM1
MOS-Feldeffekttransistor Für Ultra-Niederspannungs-Ansteuerung Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0043AM1-Isahaya Electronics Co., Ltd.

MOS-Feldeffekttransistor Für Ultra-Niederspannungs-Ansteuerung Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0043AM1
Isahaya Electronics Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

INJ0043AM1 ist ein ultrakleiner, harzverkapselter Silizium-P-Kanal-MOS-Transistor. Die Antriebsspannung ist niedrig ausgelegt und eignet sich daher ideal für Niederspannungsanwendungen wie tragbare Geräte und mobile Geräte.

■Funktionen

・Aufgrund der hohen Eingangsimpedanz besteht keine Notwendigkeit, den Antriebsstrom zu berücksichtigen. ・Ultra niedrige Antriebsspannung -1,2 V RDS (EIN) =0,7 Ω (TYP) @ID=-100 mA, VGS=-4,5 V RDS (EIN) = 1,2 Ω (TYP) bei ID = -50 mA, VGS = -2,5 V RDS (EIN) = 5,0 Ω (TYP) @ID = -1 mA, VGS = -1,2 V - Schnelle Schaltgeschwindigkeit. - Die ultrakompakte Größe ermöglicht kleinere Sets und eine Montage mit hoher Dichte.

■Anwendungen

Hochgeschwindigkeitsumschaltung, analoge Umschaltung usw.

  • Produkt

    MOS-Feldeffekttransistor Für Ultra-Niederspannungs-Ansteuerung Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0043AM1

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1 Modelle von MOS-Feldeffekttransistor Für Ultra-Niederspannungs-Ansteuerung Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0043AM1

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) Ciss (pF) Koss (pF) ID (A) JEITA-Paket P (mW) Ron (Ω) VDSS (V) VGSS (V) toff (ns) Tonnen (ns) Isahaya-Paket Polarität Antriebsspannung (V)
MOS-Feldeffekttransistor Für Ultra-Niederspannungs-Ansteuerung Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0043AM1-Part Number-INJ0043AM1

INJ0043AM1

Auf Anfrage erhältlich

57

20

-0,4

SC-70

200

5

-20

±8

140

42

Super-Mini-Typ

Pch

-1.2

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