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MOS-Feldeffekttransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltung. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0011AC1-T150-INJ0011AC1-T150
MOS-Feldeffekttransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltung. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0011AC1-T150-Isahaya Electronics Co., Ltd.

MOS-Feldeffekttransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltung. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0011AC1-T150
Isahaya Electronics Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

INJ0011AC1 ist ein ultrakleiner externer, harzversiegelter Silizium-P-Kanal-MOS-Transistor. Er ist für Niederspannungsantrieb und niedrigen Einschaltwiderstand ausgelegt und eignet sich daher ideal für Niederspannungsanwendungen wie tragbare Geräte.

■Funktionen

・Aufgrund der hohen Eingangsimpedanz besteht keine Notwendigkeit, den Antriebsstrom zu berücksichtigen. ・Antriebsspannung -4V ・RDS (EIN) ist niedrig. RDS (EIN) =7,0 Ω (TYP) @ID=-100 mA, VGS=-4,0 V RDS (EIN) =4,8 Ω (TYP) @ID=-100mA,VGS=-10V - Schnelle Schaltgeschwindigkeit. - Die ultrakompakte Größe ermöglicht kleinere Sets und eine Montage mit hoher Dichte.

■Anwendungen

Hochgeschwindigkeitsumschaltung, analoge Umschaltung usw.

  • Produkt

    MOS-Feldeffekttransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltung. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0011AC1-T150

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1 Modelle von MOS-Feldeffekttransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltung. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0011AC1-T150

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) AEC-kompatibel Ciss (pF) Koss (pF) ID (A) JEITA-Paket P (mW) Ron (Ω) VDSS (V) VGSS (V) toff (ns) Tonnen (ns) Isahaya-Paket Polarität Antriebsspannung (V)
MOS-Feldeffekttransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltung. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0011AC1-T150-Part Number-INJ0011AC1-T150

INJ0011AC1-T150

Auf Anfrage erhältlich

○

fünfundzwanzig

6

-0,1

SC-59

200

7

-50

±20

90

35

Mini-Typ

Pch

-4

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