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MOS-Feldeffekttransistor für schnelles Schalten. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0003AX-Serie-INJ0003AC1
MOS-Feldeffekttransistor für schnelles Schalten. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0003AX-Serie-Isahaya Electronics Co., Ltd.

MOS-Feldeffekttransistor für schnelles Schalten. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0003AX-Serie
Isahaya Electronics Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

INJ0003AX ist ein ultrakleiner externer, harzversiegelter Silizium-P-Kanal-MOS-Transistor. Er ist für Niederspannungsantrieb und niedrigen Einschaltwiderstand ausgelegt und eignet sich daher ideal für Niederspannungsanwendungen wie tragbare Geräte.

■Funktionen

・Aufgrund der hohen Eingangsimpedanz besteht keine Notwendigkeit, den Antriebsstrom zu berücksichtigen. ・Antriebsspannung -2,5 V ・RDS (EIN) ist niedrig. RDS (EIN) =2Ω (TYP) @ID=-100mA,VGS=-4,0V - Schnelle Schaltgeschwindigkeit. - Die ultrakompakte Größe ermöglicht kleinere Sets und eine Montage mit hoher Dichte.

■Anwendungen

Hochgeschwindigkeitsumschaltung, analoge Umschaltung usw.

  • Produkt

    MOS-Feldeffekttransistor für schnelles Schalten. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0003AX-Serie

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1 Modelle von MOS-Feldeffekttransistor für schnelles Schalten. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0003AX-Serie

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) Ciss (pF) Koss (pF) ID (A) JEITA-Paket P (mW) Ron (Ω) VDSS (V) VGSS (V) toff (ns) Tonnen (ns) Isahaya-Paket Polarität Antriebsspannung (V)
MOS-Feldeffekttransistor für schnelles Schalten. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0003AX-Serie-Part Number-INJ0003AC1

INJ0003AC1

Auf Anfrage erhältlich

37

12

-0,2

SC-59

200

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-20

±8

110

16

Mini-Typ

Pch

-2,5

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