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MOS-Feldeffekttransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltung. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0001AX-Serie-INJ0001AC1
MOS-Feldeffekttransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltung. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0001AX-Serie-Isahaya Electronics Co., Ltd.

MOS-Feldeffekttransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltung. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0001AX-Serie
Isahaya Electronics Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

INJ0001AX ist ein ultrakleiner externer, harzversiegelter Silizium-P-Kanal-MOS-Transistor. Er ist für Niederspannungsantrieb und niedrigen Einschaltwiderstand ausgelegt und eignet sich daher ideal für Niederspannungsanwendungen wie tragbare Geräte.

■Funktionen

・Da die Eingangsimpedanz hoch ist, muss der Antriebsstrom nicht berücksichtigt werden. ・Antriebsspannung -2,5 V. ・RDS (EIN) ist niedrig. RDS (EIN) =7Ω (TYP) @ID =-100mA,VGS =-4,0V - Schnelle Schaltgeschwindigkeit. - Die ultrakompakte Größe ermöglicht kleinere Sets und eine Montage mit hoher Dichte.

■Anwendungen

Hochgeschwindigkeitsumschaltung, analoge Umschaltung usw.

  • Produkt

    MOS-Feldeffekttransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltung. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0001AX-Serie

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1 Modelle von MOS-Feldeffekttransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltung. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0001AX-Serie

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) Ciss (pF) Koss (pF) ID (A) JEITA-Paket P (mW) Ron (Ω) VDSS (V) VGSS (V) toff (ns) Tonnen (ns) Isahaya-Paket Polarität Antriebsspannung (V)
MOS-Feldeffekttransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltung. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0001AX-Serie-Part Number-INJ0001AC1

INJ0001AC1

Auf Anfrage erhältlich

28

5.2

-0,1

SC-59

200

7

-50

±8

135

13

Mini-Typ

Pch

-2,5

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