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Bipolartransistor für Hochstromantrieb Silizium-PNP-Epitaxietyp (Minityp) 2SA1365 -2SA1365
Bipolartransistor für Hochstromantrieb Silizium-PNP-Epitaxietyp (Minityp) 2SA1365 -Isahaya Electronics Co., Ltd.

Bipolartransistor für Hochstromantrieb Silizium-PNP-Epitaxietyp (Minityp) 2SA1365
Isahaya Electronics Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

Der 2SA1365 ist ein ultrakleiner PNP-Epitaxietransistor aus harzverkapseltem Silizium, der mit einem großen Kollektorstrom und einem niedrigen VCE (sat) entwickelt und hergestellt wird. Kann ergänzend zu 2SC3440 verwendet werden.

■Funktionen

・Aufgrund seiner äußeren Form kann das Set kleiner gemacht werden und eine Montage mit hoher Dichte ermöglicht werden. ・Der Rektorstrom ist groß (ICM=-1.000 mA). ・CE (sat) ist ein kleiner VCE (sat) = -0,2 V-Standard ・Gute Linearität des DC-Stromverstärkungsfaktors ・Produkt mit hoher Verstärkung und Bandbreite f=180 MHz, Standard

■Anwendungen

Kleinmotorantrieb, Relaisantrieb, Stromversorgung

  • Produkt

    Bipolartransistor für Hochstromantrieb Silizium-PNP-Epitaxietyp (Minityp) 2SA1365

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1 Modelle von Bipolartransistor für Hochstromantrieb Silizium-PNP-Epitaxietyp (Minityp) 2SA1365

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) IC (A) JEITA-Paket P (mW) VCEO (V) hFE Isahaya-Paket Bemerkungen Polarität
Bipolartransistor für Hochstromantrieb Silizium-PNP-Epitaxietyp (Minityp) 2SA1365 -Part Number-2SA1365

2SA1365

Auf Anfrage erhältlich

-0,7

SC-59

200

-20

150 ~ 800

Mini-Typ

Komplementär (2SC3440)

PNP

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