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Bipolartransistor zur Niederfrequenz-Leistungsverstärkung. Silizium-PNP-Epitaxietyp 2SA1364-2SA1364
Bipolartransistor zur Niederfrequenz-Leistungsverstärkung. Silizium-PNP-Epitaxietyp 2SA1364-Isahaya Electronics Co., Ltd.

Bipolartransistor zur Niederfrequenz-Leistungsverstärkung. Silizium-PNP-Epitaxietyp 2SA1364
Isahaya Electronics Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

2SA1364 ist ein in Harz eingekapselter Silizium-PNP-Epitaxietransistor. Er wurde für eine hohe Durchbruchspannung, einen großen Kollektorstrom und einen großen Kollektorverlust entwickelt und hergestellt und kann daher als Allzwecktransistor für Relaisantriebe, Netzteile usw. verwendet werden. Darüber hinaus liegen die Kollektorlamellen nach außen und können direkt auf die Platine gelötet werden, was die Verlustleistung des Kollektors verbessert. Kombiniert mit 2SC3444.

■Funktionen

・Die geringe Größe ermöglicht kleinere Sets und eine Montage mit hoher Dichte ・Hohe Spannungsfestigkeit VCEO = - 60 V ・Kollektorstrom ist groß Ic =- 1A ・VCE (sat) ist niedrig. VCE (sat) =- 0,11 V Standard (@Ic =- 500 mA/lB =- 25 mA) ・Hoher Kollektorverlust Pc = 500 mW

■Anwendungen

Relaisantriebe und Netzteile für Audiogeräte, Videorecorder, Elektrogeräte und andere elektronische Geräte

  • Produkt

    Bipolartransistor zur Niederfrequenz-Leistungsverstärkung. Silizium-PNP-Epitaxietyp 2SA1364

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1 Modelle von Bipolartransistor zur Niederfrequenz-Leistungsverstärkung. Silizium-PNP-Epitaxietyp 2SA1364

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) IC (A) JEDEC-Paket JEITA-Paket P (mW) VCEO (V) hFE Bemerkungen Polarität
Bipolartransistor zur Niederfrequenz-Leistungsverstärkung. Silizium-PNP-Epitaxietyp 2SA1364-Part Number-2SA1364

2SA1364

Auf Anfrage erhältlich

-1

SOT-89

SC-62

500

-60

55~300

Komplementär (2SC3444)

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