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IGBT-Gate-Vortreiber Hochleistungs-Verbundtransistor RT8H255C-RT8H255C
IGBT-Gate-Vortreiber Hochleistungs-Verbundtransistor RT8H255C-Isahaya Electronics Co., Ltd.

IGBT-Gate-Vortreiber Hochleistungs-Verbundtransistor RT8H255C
Isahaya Electronics Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

RT8H255C ist ein Verbundtransistor, der aus einem NPN-Transistor, einem PNP-Transistor und einem Widerstand besteht. Durch die Verwendung dieses Transistors ist es möglich, das Gerät zu verkleinern und die Anzahl der Teile und Arbeitsstunden deutlich zu reduzieren. RT8H255C verfügt über eine Schaltungskonfiguration als IGBT-Treiber, und wenn Low auf High an den GATEIN-Anschluss angelegt wird, gibt der B-Anschluss ein LOW-Signal aus, wenn die Spannung etwa 2,80 V überschreitet. Wenn Hgh an Low an den GATEIN-Anschluss angelegt wird, gibt der B-Anschluss außerdem ein HIGH-Signal aus, wenn die Spannung auf etwa 2,48 V oder weniger abfällt.

■Funktionen

Kleinere Setgröße und Montage mit hoher Dichte möglich

■Anwendungen

IGBT-Treiberschaltung

  • Produkt

    IGBT-Gate-Vortreiber Hochleistungs-Verbundtransistor RT8H255C

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1 Modelle von IGBT-Gate-Vortreiber Hochleistungs-Verbundtransistor RT8H255C

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) Paket Merkmale Anwendungsbeispiel
IGBT-Gate-Vortreiber Hochleistungs-Verbundtransistor RT8H255C-Part Number-RT8H255C

RT8H255C

Auf Anfrage erhältlich

SC-74

Mit Gate-Schutzdiode

Als IGBT-Gate-Predrive

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