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Hetero-Epitaxie-Wachstumsausrüstung für Diamantsubstrate-Hetero-Epitaxie-Wachstumsausrüstung für Diamantsubstrate
Hetero-Epitaxie-Wachstumsausrüstung für Diamantsubstrate-Arios Co., Ltd.

Hetero-Epitaxie-Wachstumsausrüstung für Diamantsubstrate
Arios Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

■Zusammenfassung

Heteroepitaxie-Wachstumsausrüstung für Diamantsubstrate Bei dieser Ausrüstung handelt es sich um eine spezielle MBE-Ausrüstung zum Zwecke des heteroepitaktischen Wachstums auf Diamantsubstraten. Im Gegensatz zu herkömmlichen MBE-Geräten können zur Handhabung kleiner Diamantsubstrate extrem hochwertige Dünnfilme mithilfe eines Substratheizmechanismus vom Typ „Face-Up“, einer speziell konstruierten Molekularstrahlzelle für Aluminium, einer RF-Radikalstrahlquelle und einer Si-Strahlquelle gezüchtet werden. Diese Ausrüstung kann so konfiguriert werden, dass sie dünne Filme auf Diamantsubstraten wachsen lässt, pn-Übergänge auf Diamant erzeugt und Transistoren herstellt.

■Unsere Ausrüstung wird unten vorgestellt.

・Waseda-Universitätsprofessor Kawarada ・Unsere Geräte werden in der Laboreinführung von Professor Hatano am Tokyo Institute of Technology vorgestellt. Zur Vereinfachung der Forschung ist es möglich, die Menge des Flussmittels mithilfe von BFM und den Zustand der Filmbildung mithilfe von RHEED zu messen. Wir haben verschiedene Techniken entwickelt, die es uns ermöglichen, extrem kleine Diamantsubstrate zu transportieren, heteroepitaxiales Wachstum durchzuführen und RHEED-Beobachtungen mit einem einzigen Gerät durchzuführen, ohne das Vakuum zu brechen.

■Funktionen

・Eine Aufdampfung mit der Vorderseite nach oben ist möglich. ・Neben Aluminium verfügen wir auch über verschiedene Arten von Zellen, die nach unten arbeiten. ・Filmarbeiten können automatisch durchgeführt werden. ・Der funktionale Aufbau unseres Unternehmens, der mit umfassenden Kenntnissen der Ultrahochvakuumtechnologie einzigartig ist, gewährleistet trotz seiner geringen Größe Leistung und Benutzerfreundlichkeit.

  • Produkt

    Hetero-Epitaxie-Wachstumsausrüstung für Diamantsubstrate

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1 Modelle von Hetero-Epitaxie-Wachstumsausrüstung für Diamantsubstrate

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) Al Zelle HF-Radikalstrahlquelle RHEED Si-Strahlquelle Backtemperatur Enddruck Kompatible Boardgröße Abgasanlage Einbauraum
Hetero-Epitaxie-Wachstumsausrüstung für Diamantsubstrate-Part Number-Hetero-Epitaxie-Wachstumsausrüstung für Diamantsubstrate

Hetero-Epitaxie-Wachstumsausrüstung für Diamantsubstrate

Auf Anfrage erhältlich

Tiegelkapazität: 5cc
Maximale Temperatur: 1.000℃

13,55 MHz, 500 W

Beschleunigungsspannung: 30 kV
RHEED-Bildschirm

Montageflansch: CF114
Probengröße: φ3×L=20mm

MAX 200℃

1×10^-7 Pa oder weniger (Filmbildungskammer)

MAX 1 Zoll

800 L/Sek. TMP+SCP+N2 Shroud+TSP

2.000 mm × 800 mm

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