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Produkte für elektronische Geräte HF-Geräte Hochleistungs-DPDT-Schalter GaAs MMIC NJG1814MD7
Nisshinbo Micro Devices Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

■Zusammenfassung

NJG1812ME4 ist ein Hochleistungs-DPDT-Schalter, der sich ideal für Kommunikationsanwendungen wie LTE/UMTS/CDMA/GSM eignet. Besonders geeignet für Antennenschaltanwendungen. Dieses Produkt unterstützt eine Schaltspannung von 1,8 V und zeichnet sich durch geringe Einfügungsdämpfung, geringe Verzerrung und hohe Linearität bis zu 3 GHz aus. Dieses Produkt verfügt aufgrund des eingebauten ESD-Schutzelements über eine hohe ESD-Spannungsfestigkeit. Für dieses Produkt ist kein DC-Sperrkondensator erforderlich. Nimmt das EQFN12-E4-Gehäuse an, um Kompaktheit und Dünnheit zu erreichen.

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    Produkte für elektronische Geräte HF-Geräte Hochleistungs-DPDT-Schalter GaAs MMIC NJG1814MD7

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1 Modelle von Produkte für elektronische Geräte HF-Geräte Hochleistungs-DPDT-Schalter GaAs MMIC NJG1814MD7

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) P-0,1 dB (dBm) Sperrschichttemperatur (℃) Paket Leistungsniveau Niedrige Schaltspannung (V) Bemerkungen Betriebstemperaturbereich (℃) Betriebsspannung (V) Frequenzbereich (GHz) Außengröße (mm) Einfügedämpfung Funktion

NJG1812ME4

Auf Anfrage erhältlich

Typ. 36

150

EQFN12-E4

Hohe Leistung

VCTL (H) =1,35 bis 5,0

2. Harmonische = -89 dBm typ. bei f = 786,5 MHz, PIN = +23 dBm, 3. Harmonische = -89 dBm typ. bei f = 710 MHz, PIN = +23 dBm

-40 bis 105

VDD=2,7 typ.

0,2 bis 3

Typ. 2,0x2,0x0,397

0,25 dB typ. bei f=900 MHz, PIN=+35 dBm, 0,35 dB typ. bei f=1.900 Hz, PIN=+33 dBm usw.

DPDT-Schalter

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