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Produkte für elektronische Geräte HF-Geräte 10W Hochleistungs-SPDT-Schalter NJG1817ME4-NJG1817ME4
Produkte für elektronische Geräte HF-Geräte 10W Hochleistungs-SPDT-Schalter NJG1817ME4-Nisshinbo Micro Devices Co., Ltd.

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Nisshinbo Micro Devices Co., Ltd.

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Über dieses Produkt

■Zusammenfassung

Der NJG1817ME4 ist ein GaAs-SPDT-Schalter-MMIC, der sich ideal für Kommunikationssysteme und Endgeräte eignet, die hohe Leistungsspezifikationen erfordern, wie z. B. 5G (Sub-6)-Kleinzellen und kommerzielle drahtlose Kommunikation. Bei diesem Produkt handelt es sich um einen leistungsstarken SPDT-Schalter, der eine Eingangsleistung von +40 dBm unterstützt und eine geringe Einfügungsdämpfung über ein breites Band bis zu 6 GHz erreicht. Es verfügt außerdem über eine Hochgeschwindigkeitsvermittlung, die mit der 5G-Kommunikation kompatibel ist. Aufgrund des eingebauten ESD-Schutzelements verfügt es über eine hohe ESD-Spannungsfestigkeit. Durch die Montage im kleinen 2,0 mm x 2,0 mm großen EQFN12-E4-Gehäuse haben wir einen kleineren und dünneren Hochleistungsschalter erreicht.

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    Produkte für elektronische Geräte HF-Geräte 10W Hochleistungs-SPDT-Schalter NJG1817ME4

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1 Modelle von Produkte für elektronische Geräte HF-Geräte 10W Hochleistungs-SPDT-Schalter NJG1817ME4

Bild Teilenummer Preis (ohne Steuern) P-0,1 dB (dBm) Isolierung Sperrschichttemperatur (℃) Paket Leistungsniveau Niedrige Schaltspannung (V) Bemerkungen Betriebstemperaturbereich (℃) Frequenzbereich (GHz) Außengröße (mm) Einfügedämpfung Funktion
Produkte für elektronische Geräte HF-Geräte 10W Hochleistungs-SPDT-Schalter NJG1817ME4-Part Number-NJG1817ME4

NJG1817ME4

Auf Anfrage erhältlich

Typ. 40

27 dB typ. bei 3,85 GHz, VCTL (H) = 3,3 V, 27 dB typ. bei 4,7 GHz, VCTL (H) = 3,3 V usw.

150

EQFN12-E4

Hohe Leistung

2,7 bis 5,0

Schnelles Schalten (150 ns typ.)

-40 bis 105

0,05 bis 6

Typ. 2,0x2,0x0,397

0,35 dB typ. bei 3,85 GHz, VCTL (H) = 3,3 V, 0,40 dB typ. bei 4,7 GHz, VCTL (H) = 3,3 V usw.

SPDT-Schalter

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