Halbleiter-ASIC-Embedded-Array
Seiko Epson Corporation

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Über dieses Produkt

■Eingebettetes ArrayBei eingebetteten Arrays handelt es sich um semi-kundenspezifische ICs, die mit harten Makros für bestimmte Anwendungen wie Standardzellen und ASSPs ausgestattet sind und mithilfe von Sea of ​​​​Gate implementiert und in die Schaltkreise des Kunden integriert werden können. Ein System-on-Chip ist durch die Umwandlung hochintegrierter Hochleistungszellen in harte Makros und durch die Umwandlung des Logikteils in ein Sea-of-Gate-System möglich. Die Entwicklungszeit nach dem Verdrahtungsprozess entspricht der eines Gate-Arrays.

Darüber hinaus kann die LSI-Basis (Basismasse) wiederverwendet werden und Änderungen können im gleichen Entwicklungszeitraum wie bei Gate-Arrays vorgenommen werden, wenn nur der Logikteil geändert wird.

■Entwurfsmethode für eingebettete ArraysDie Entwurfsmethode für ein eingebettetes Array besteht darin, zunächst das System zu entwerfen, die Anzahl der Gatter im Logikabschnitt und die zu montierenden Makrozellen zu bestimmen und dann mit der Herstellung des Basiskörpers zu beginnen.

Der Grundkörper wird mit den notwendigen harten Makrozellen bestückt und außerdem mit Sea of ​​​​Gate für den Logikbereich abgedeckt, und die Fertigung geht bis zur Verdrahtungsphase. Parallel zu dieser Fertigungsarbeit führen wir Arbeiten vom Schaltungsdesign des Logikabschnitts bis hin zu Simulationskorrekturen nach dem Layout durch, genau wie bei normalen Gate-Arrays, und nach der Freigabe führen wir den Verdrahtungsprozess durch. Nach der Freigabe werden die Muster mit der gleichen Lieferzeit wie die Gate-Arrays versandt. Darüber hinaus kann der Grundkörper des LSI wiederverwendet werden. Wenn Sie also nur die Schaltung des Logikteils ändern müssen, ist dies mit den gleichen Entwicklungskosten und der gleichen Entwicklungsvorlaufzeit wie bei einem Gate-Array möglich.

Bei eingebetteten Arrays handelt es sich um semi-kundenspezifische ICs, die mit Hartmakros für bestimmte Anwendungen wie Standard-Zellenmakros und ASSPs als Funktionsblöcke ausgestattet sind und Kundenschaltungen mit Sea of ​​​​Gates konfigurieren. Während die gleichen Funktionen wie Standardzellen integriert sind, ist der Logikabschnitt in ein Meer von Gattern umgewandelt, was eine Entwicklungszeit ermöglicht, die mit der von Gate-Arrays vergleichbar ist. Da es außerdem relativ einfach ist, den Schaltkreis zu ändern, kann damit das Risiko einer Produktmodifikation vermieden werden.

Modell
Es gibt 4 Modelle für dieses Produkt.

Produkt
Halbleiter-ASIC-Embedded-Array

Verarbeitendes Unternehmen
Seiko Epson Corporation

Kategorien

Integrierte Schaltung

Anwendungsspezifische integrierte Schaltungen (ASIC)

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Teilenummer	Preis (ohne Steuern)	Serienname	Status	Paket	Makrozelle	Merkmale
S1X80000	Auf Anfrage erhältlich	S1X80000-Serie	Abgeordneter	QFP48~256 Pins, PBGA, PFBGA, QFN	Kann mit RAM, PLL, LVDS, RSDS und verschiedenen Makrozellen ausgestattet werden	Hochintegriert (0,15 μm CMOS 4/5-Schicht-Verdrahtungsprozess übernommen, 74.000 Gates/mm2), Hochgeschwindigkeitsbetrieb (interne Gate-Verzögerung: 34,5 ps/1,8 V, NAND-Typ mit 2 Eingängen) usw.
S1X60000	Auf Anfrage erhältlich	S1X60000-Serie	Abgeordneter	QFP48~256 Pins, PBGA, PFBGA, QFN	RAM, ROM, Flash, MCU, PLL, LVDS, RSDS, verschiedene Makrozellen können eingebaut werden	Hohe Integration (0,25 μm CMOS 3/4/5-Schicht-Verdrahtungsprozess übernommen, Anzahl der installierten Gates: bis zu 2,5 Millionen Gates), Hochgeschwindigkeitsbetrieb (interne Gate-Verzögerung: 107 ps/2,5 V, 2 Eingänge Power NAND Typ.) usw.
S1X50000	Auf Anfrage erhältlich	S1X50000-Serie	Abgeordneter	QFP48~256 Pins, PBGA, PFBGA, QFN, WCSP	Kann mit RAM, ROM, Flash, MCU, PLL, Analogzellen, LVDS, RSDS und verschiedenen Makrozellen ausgestattet werden	Hochintegriert (0,35 μm CMOS 3/4-Schicht-Verdrahtungsprozess übernommen), Hochgeschwindigkeitsbetrieb (interne Gate-Verzögerung: 150 ps/3,3 V, 2 Eingänge Power NAND Typ.) usw.
S1X5V000	Auf Anfrage erhältlich	S1X5V000-Serie	Abgeordneter	QFP48~256 Pins, PBGA, PFBGA, QFN, WCSP	Kann mit RAM, ROM, Flash, MCU, PLL, Analogzellen, LVDS, RSDS und verschiedenen Makrozellen ausgestattet werden	Hohe Integration (0,35 μm CMOS 2/3/4-Schicht-Verdrahtungsprozess übernommen), Hochgeschwindigkeitsbetrieb (interne Gate-Verzögerung: 0,19 ns/5,0 V, 0,29 ns/3,3 V, 2 Eingänge Power NAND Typ.) usw.

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