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Texas Instruments Incorporated

1 Hersteller von Transistor-Arrays im Jahr 2025

Dieser Abschnitt bietet einen Überblick über Transistor-Arrays sowie ihre Anwendungen und Funktionsweisen. Werfen Sie auch einen Blick auf die Liste der 1 Hersteller von Transistor-Arrays und deren Firmenranking.

Inhaltsübersicht

Liste von 1 Herstellern von Transistor-Arrays

*einschließlich Lieferanten etc.

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Transistor-Arrays Hersteller Ranking

*einschließlich Lieferanten etc.

Anzahl der Mitarbeiter

  1. Texas Instruments Incorporated: 30,000

Neu gegründetes Unternehmen

  1. Texas Instruments Incorporated: 1930

Unternehmen mit Geschichte

  1. Texas Instruments Incorporated: 1930

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Liste der Transistor-Arrays Produkte

17 Produkte gefunden

17 Produkte

Nisshinbo Micro Devices Co., Ltd.

18 mΩ EIN-Widerstand 3 A Lastschalter-IC R5543-Serie

250+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 2 Stunden

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8.5 Stunden

Bei der R5543-Serie handelt es sich um einen CMOS-Lastschalter-IC mit Dual-Stromversorgung. Dieses Produkt ist ideal für die Verteilung sekundärer ...

Nimatsu Electric Co., Ltd.

Diode, Transistor, MOSFET

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Zuletzt angesehen: vor 6 Stunden

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Comchip Technology ist ein im Jahr 2000 gegründeter taiwanesischer Dioden- und Transistorhersteller. Mit innovativer Forschung und patentierten Fer...

Nimatsu Electric Co., Ltd.

Transistor, Diode

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Willas Electronic Corp. ist ein 1982 gegründeter taiwanesischer Transistor- und Diodenhersteller. Unsere Hauptprodukte sind Gleichrichterdioden, Br...

Nimatsu Electric Co., Ltd.

Analoge IC-MOSFET-Transistordiode

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0.4 Stunden

Unisonic Technology (UTC) wurde 1990 gegründet und ist ein taiwanesischer Hersteller von analogen ICs und diskreten Geräten. Wir haben die Systemze...

Towa Electronics Co., Ltd.

Bipolartransistor-Mischgerät verschiedener Typen

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Zuletzt angesehen: vor 7 Stunden

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Wir verfügen über eine Produktpalette, die MOSFETs und Dioden, Transistoren und Dioden usw. in kleinen Gehäusen umfasst. Ideal für die Montage mit ...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Transistor-Array MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET) INJ0002AC1

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■Zusammenfassung INJ0002AX ist ein ultrakleiner externer, harzversiegelter Silizium-P-Kanal-MOS-Transistor. Er ist für Niederspannungsantrieb und n...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Silizium-PNP-Epitaxie-Doppeltransistor für rauscharme Differenzverstärkung RT3A66M

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RT3A66M ist ein Silizium-PNP-Epitaxie-Doppeltransistor mit guten Paareigenschaften, der für die Differenzverstärkung ausgelegt ist. ■Funktionen ・...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

IGBT-Gate-Vortreiber Hochleistungs-Verbundtransistor RT8H255C

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RT8H255C ist ein Verbundtransistor, der aus einem NPN-Transistor, einem PNP-Transistor und einem Widerstand besteht. Durch die Verwendung dieses Tr...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Zusammengesetzter PNP-Transistor mit integrierten 2 gemeinsamen Emitterelementen RT2A00AM1

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RT2A00AM1 ist ein zusammengesetzter PNP-Transistor mit zwei integrierten PNP-Transistor-ISA1235AC1-Elementen. Durch die Verwendung dieses Transisto...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Verbund-NPN-Transistor mit integrierten 2 Elementen mit gemeinsamem Emitter RT2C00M

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RT2C00M ist ein zusammengesetzter NPN-Transistor mit zwei integrierten 2SC3052 NPN-Transistoren. Durch die Verwendung dieses Transistors ist es mög...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Verbund-NPN-Transistor mit integrierten 2 Elementen mit gemeinsamem Emitter RT2C00M-T150

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RT2C00M ist ein zusammengesetzter NPN-Transistor mit zwei integrierten 2SC3052 NPN-Transistoren. Durch die Verwendung dieses Transistors ist es mög...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Silizium-PNP-Epitaxie-Doppeltransistor für rauscharme Differenzverstärkung RT3A66M-T150

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RT3A66M ist ein Silizium-PNP-Epitaxie-Doppeltransistor mit guten Paareigenschaften, der für die Differenzverstärkung ausgelegt ist. ■Funktionen ・...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Zusammengesetzter PNP-Transistor mit integrierten 2 unabhängigen Elementen RT3AMMAM1

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RT3AMMAM1 ist ein zusammengesetzter PNP-Transistor mit zwei integrierten PNP-Transistor-ISA1235A-Elementen. Durch die Verwendung dieses Transistors...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Zusammengesetzter PNP-Transistor mit integrierten 2 unabhängigen Elementen RT3AMMAM1-T150

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RT3AMMAM1 ist ein zusammengesetzter PNP-Transistor mit zwei integrierten PNP-Transistor-ISA1235A-Elementen. Durch die Verwendung dieses Transistors...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Silizium-NPN-Epitaxie-Doppeltransistor für Differenzverstärkung RT3C66M

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RT3C66M ist ein Silizium-NPN-Epitaxie-Doppeltransistor mit guten Paareigenschaften, der für die Differenzverstärkung ausgelegt ist. ■Funktionen ・...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Silizium-NPN-Epitaxie-Doppeltransistor für Hochspannungsschalter RT3C88M

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2.6 Stunden

RT3C88M ist ein Verbundtransistor mit zwei eingebauten NPN-Transistoren. Durch die Verwendung dieses Transistors ist es möglich, das Gerät zu verkl...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Silizium-NPN-Epitaxie-Doppeltransistor für Differenzverstärkung RT3C66M-T150

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RT3C66M ist ein Silizium-NPN-Epitaxie-Doppeltransistor mit guten Paareigenschaften, der für die Differenzverstärkung ausgelegt ist. ■Funktionen ・...







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