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4 Hersteller von FETs im Jahr 2025

Dieser Abschnitt bietet einen Überblick über FETs sowie ihre Anwendungen und Funktionsweisen. Werfen Sie auch einen Blick auf die Liste der 4 Hersteller von FETs und deren Firmenranking.

Inhaltsübersicht

Liste von 4 Herstellern von FETs

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FETs Hersteller Ranking

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1 HENRI electronic GmbH 33.3%
2 Littelfuse, Inc. 33.3%
3 Texas Instruments Incorporated 33.3%

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Anzahl der Mitarbeiter

  1. Texas Instruments Incorporated: 30,000

Neu gegründetes Unternehmen

  1. Texas Instruments Incorporated: 1930

Unternehmen mit Geschichte

  1. Texas Instruments Incorporated: 1930

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Liste der FETs Produkte

23 Produkte gefunden

23 Produkte

Nimatsu Electric Co., Ltd.

Foto-DMOS-FET-Relais, Fotokoppler, Fotounterbrecher, Näherungsschalter, Reed-Schalter

240+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 13 Stunden

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Letex Technology ist ein 2001 in Taiwan gegründeter Hersteller von Foto-DMOS-FET-Relais, Optokopplern und anderen fotobezogenen Produkten. Erlangte...

Sansha Electric Manufacturing Co., Ltd.

SiC-MOSFET

370+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 6 Stunden

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16.4 Stunden

■Funktionen Dieses Gerät überwindet das Hochgeschwindigkeitsschalten, das die Schwäche von IGBTs darstellt. SiC (Siliziumkarbid) hat eine zehnmal h...

2 Modelle gelistet

FCA100AC120-SiC-MOSFET
FCA150AC120-SiC-MOSFET

Sansha Electric Manufacturing Co., Ltd.

Diskreter / SiC-MOSFET

300+ Personen sehen dies

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16.4 Stunden

■Was ist ein Leistungshalbleiter? Bei den von der Sansha Denki Group entwickelten und hergestellten Halbleitern handelt es sich nicht um die bekann...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Feldeffekttransistor zur Niederfrequenzverstärkung, P-Kanal-Übergangstyp (Super-Mini-Typ) 2SJ145

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Zuletzt angesehen: vor 1 Tag

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2SJ145 ist ein ultrakleiner externer, harzversiegelter Silizium-P-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, der für den Einsatz in der Niederfrequen...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Feldeffekttransistor zur Niederfrequenzverstärkung, P-Kanal-Übergang Typ 2SJ498

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2SJ498 ist ein kleiner harzversiegelter P-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, der für den Einsatz in der Niederfrequenzspannungsverstärkung un...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Feldeffekttransistor zur Niederfrequenzverstärkung, N-Kanal-Sperrschichttyp 2SK2880

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Zuletzt angesehen: vor 5 Stunden

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Der 2SK2880 ist ein kleiner harzversiegelter N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, der für den Einsatz in der Niederfrequenzspannungsverstärku...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Feldeffekttransistor zur Niederfrequenzverstärkung, N-Kanal-Sperrschichttyp 2SK2881

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Der 2SK2881 ist ein kleiner harzversiegelter N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, der für die Verstärkung niedriger Frequenzen und mit gerin...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Feldeffekttransistor zur Niederfrequenzverstärkung N-Kanal-Sperrschichttyp (Minityp) 2SK433

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2SK433 ist ein ultrakleiner, harzversiegelter N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor aus Silizium, der für den Einsatz in der Niederfrequenzspan...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

MOS-Feldeffekttransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltung. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0001AX-Serie

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INJ0001AX ist ein ultrakleiner externer, harzversiegelter Silizium-P-Kanal-MOS-Transistor. Er ist für Niederspannungsantrieb und niedrigen Einschal...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Feldeffekttransistor zur Niederfrequenzverstärkung N-Kanal-Sperrschichttyp (Minityp) 2SK492

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2SK492 ist ein ultrakleiner, harzversiegelter N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor aus Silizium, der für den Einsatz in der Niederfrequenzspan...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

MOS-Feldeffekttransistor für schnelles Schalten. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0002AX-Serie

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INJ0002AX ist ein ultrakleiner externer, harzversiegelter Silizium-P-Kanal-MOS-Transistor. Er ist für Niederspannungsantrieb und niedrigen Einschal...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Feldeffekttransistor N-Kanal-Junction-FET zur Niederfrequenzverstärkung 2SK492-T150

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2SK492 ist ein ultrakleiner, harzversiegelter N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor aus Silizium, der für den Einsatz in der Niederfrequenzspan...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

MOS-Feldeffekttransistor für schnelles Schalten. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0003AX-Serie

130+ Personen sehen dies

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INJ0003AX ist ein ultrakleiner externer, harzversiegelter Silizium-P-Kanal-MOS-Transistor. Er ist für Niederspannungsantrieb und niedrigen Einschal...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Feldeffekttransistor zur Niederfrequenzverstärkung N-Kanal-Sperrschichttyp (Super-Mini-Typ) 2SK930

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Zuletzt angesehen: vor 14 Stunden

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2SK930 ist ein ultrakleiner externer, harzversiegelter Silizium-N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, der für den Einsatz in der Niederfrequen...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

MOS-Feldeffekttransistor für schnelles Schalten. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0011AX-Serie

130+ Personen sehen dies

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INJ0011AX ist ein ultrakleiner externer, harzverkapselter Silizium-P-Kanal-MOS-Transistor. Er ist für Niederspannungsantrieb und niedrigen Einschal...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

MOS-Feldeffekttransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltung. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0011AC1-T150

150+ Personen sehen dies

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0.6 Stunden

INJ0011AC1 ist ein ultrakleiner externer, harzversiegelter Silizium-P-Kanal-MOS-Transistor. Er ist für Niederspannungsantrieb und niedrigen Einscha...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

MOS-Feldeffekttransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltung. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0011AM1-TH50

140+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 6 Stunden

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0.6 Stunden

INJ0011AM1 ist ein ultrakleiner externer, harzverkapselter Silizium-P-Kanal-MOS-Transistor. Er ist für Niederspannungsantrieb und niedrigen Einscha...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

MOS-Feldeffekttransistor Für Ultra-Niederspannungs-Ansteuerung Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0043AM1

140+ Personen sehen dies

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INJ0043AM1 ist ein ultrakleiner, harzverkapselter Silizium-P-Kanal-MOS-Transistor. Die Antriebsspannung ist niedrig ausgelegt und eignet sich daher...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

MOS-Feldeffekttransistor Für schnelles Schalten. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0103AC1

130+ Personen sehen dies

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0.6 Stunden

INJ0103AC1 ist ein ultrakleiner, harzversiegelter Silizium-P-Kanal-MOS-Transistor. Er ist für Niederspannungsantrieb und niedrigen Einschaltwiderst...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

MOS-Feldeffekttransistor Für schnelles Schalten. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0103AM1

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INJ0103AM1 ist ein ultrakleiner, harzversiegelter Silizium-P-Kanal-MOS-Transistor. Er ist für Niederspannungsantrieb und niedrigen Einschaltwiderst...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

MOS-Feldeffekttransistor Für schnelles Schalten. Silizium-P-Kanal-MOS-Typ INJ0203AC1

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INJ0203AC1 ist ein ultrakleiner externer, harzversiegelter Silizium-P-Kanal-MOS-Transistor. Er ist für Niederspannungsantrieb und niedrigen Einscha...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Feldeffekttransistor zur Niederfrequenzverstärkung, P-Kanal-Übergangstyp (Mini-Typ) 2SJ125

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2SJ125 ist ein ultrakleiner externer, harzversiegelter Silizium-P-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, der für den Einsatz in der Niederfrequen...







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