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5 Hersteller von Bipolare Transistoren im Jahr 2025

Dieser Abschnitt bietet einen Überblick über Bipolare Transistoren sowie ihre Anwendungen und Funktionsweisen. Werfen Sie auch einen Blick auf die Liste der 5 Hersteller von Bipolare Transistoren und deren Firmenranking.

Inhaltsübersicht

Liste von 5 Herstellern von Bipolare Transistoren

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Bipolare Transistoren Hersteller Ranking

*einschließlich Lieferanten etc.

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Liste der Bipolare Transistoren Produkte

34 Produkte gefunden

34 Produkte

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Bipolartransistor Bipolartransistor 2SA1363

150+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 10 Stunden

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5.0 Company Review

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■Zusammenfassung 2SA1363 ist ein in Harz eingekapselter Silizium-PNP-Epitaxietransistor. Es wurde mit hohem Kollektorverlust und besonders hohem Ko...

Sansha Electric Manufacturing Co., Ltd.

IGBT

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■Funktionen Um MOSFETs mit hoher Durchbruchspannung herzustellen, ist es notwendig, die Driftschicht zu verdicken, was den Nachteil hat, dass sich ...

2 Modelle gelistet

GSA75AA120-IGBT
GSA100AA60-IGBT

Towa Electronics Co., Ltd.

Bipolartransistor

60+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 4 Stunden

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Wir verfügen über ein vielfältiges Sortiment, das von einer Vielzahl ultrakompakter oberflächenmontierbarer Kleinsignaltransistoren bis hin zu Leis...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Widerstandshaltiger Transistor zum Schalten von Silizium-NPN-Epitaxietyp RT1N136M-T150

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■Funktionen ・Eingebauter Vorspannungswiderstand (R1=1kΩ, R2=10kΩ) ・Set-Miniaturisierung und Montage mit hoher Dichte möglich ■Anwendungen Wechse...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Silizium-NPN-Epitaxie-Doppeltransistor für Differenzverstärkung RT3C66M-T150

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RT3C66M ist ein Silizium-NPN-Epitaxie-Doppeltransistor mit guten Paareigenschaften, der für die Differenzverstärkung ausgelegt ist. ■Funktionen ・...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Widerstandshaltiger Transistor zum Schalten von Silizium-NPN-Epitaxietyp RT1N136U-T150

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■Funktionen ・Eingebauter Vorspannungswiderstand (R1=1kΩ, R2=10kΩ) ・Set-Miniaturisierung und Montage mit hoher Dichte möglich ■Anwendungen Wechse...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Silizium-NPN-Epitaxie-Doppeltransistor für Hochspannungsschalter RT3C88M

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RT3C88M ist ein Verbundtransistor mit zwei eingebauten NPN-Transistoren. Durch die Verwendung dieses Transistors ist es möglich, das Gerät zu verkl...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Widerstandshaltiger Transistor zum Schalten, Silizium-NPN-Epitaxietyp RT1N137P

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RT1N137P ist ein Single-Chip-Verbundtransistor, der einen Vorspannungswiderstand in einen Transistor integriert. Durch die Verwendung dieses Transi...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Widerstandshaltiger Transistor zum Schalten von Silizium-NPN-Epitaxietyp RT1N137S

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1.2 Stunden

RT1N137S ist ein Single-Chip-Verbundtransistor, der einen Vorspannungswiderstand in einen Transistor integriert. Durch die Verwendung dieses Transi...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Bipolartransistor zur Niederfrequenz-Leistungsverstärkung. Silizium-PNP-Epitaxietyp 2SA1364

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2SA1364 ist ein in Harz eingekapselter Silizium-PNP-Epitaxietransistor. Er wurde für eine hohe Durchbruchspannung, einen großen Kollektorstrom und ...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Widerstandshaltiger Transistor zum Schalten der Silizium-NPN-Epitaxie-Serie RT1N140X

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■Funktionen ・Eingebauter Vorspannungswiderstand (R1=10kΩ) ・Set-Miniaturisierung und Montage mit hoher Dichte möglich ・Die RT1P140X-Serie ist als...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Bipolartransistor für Hochstromantrieb Silizium-PNP-Epitaxietyp (Minityp) 2SA1365

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Der 2SA1365 ist ein ultrakleiner PNP-Epitaxietransistor aus harzverkapseltem Silizium, der mit einem großen Kollektorstrom und einem niedrigen VCE...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Widerstandshaltiger Transistor zum Schalten von Silizium-NPN-Epitaxietyp RT1N140M-T150

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■Funktionen ・Eingebauter Vorspannungswiderstand (R1=10kΩ) ・Set-Miniaturisierung und Montage mit hoher Dichte möglich ■Anwendungen Wechselrichter...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Bipolartransistor für kleine Motoren und Kolbenantriebe. Silizium-PNP-Epitaxietyp 2SA1369-TH51

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Der 2SA1369 ist ein mit Harz versiegelter Silizium-PNP-Epitaxietransistor, der für hohe Kollektorverluste und Kollektorströme sowie hohe hFE entwic...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Widerstandshaltiger Transistor zum Schalten von epitaktischen Silizium-NPN-Transistoren der Serie RT1N141X

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■Funktionen ・Eingebauter Vorspannungswiderstand (R1=10kΩ, R2=10kΩ) ・Set-Miniaturisierung und Montage mit hoher Dichte möglich ・Die RT1P141X-Seri...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Bipolartransistor-Relaisantrieb, Silizium-PNP-Epitaxie-Stromversorgung, Typ 2SA1944

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2SA1944 ist ein Silizium-PNP-Epitaxie-Transistor. Er wurde mit hoher Spannungsfestigkeit, großem Kollektorstrom und hohem hFE entwickelt und herges...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Widerstandshaltiger Transistor zum Schalten von Silizium-NPN-Epitaxietyp RT1N141C-T150

120+ Personen sehen dies

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■Funktionen ・Eingebauter Vorspannungswiderstand (R1=10kΩ, R2=10kΩ) ・Set-Miniaturisierung und Montage mit hoher Dichte möglich ■Anwendungen Wechs...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Bipolartransistor für allgemeine Hochstrom-Antriebs-Silizium-PNP-Epitaxie Typ 2SA1945

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Der 2SA1945 ist ein mit Harz versiegelter Silizium-PNP-Epitaxietransistor, der für einen großen Kollektorstrom und eine hohe Spannungsfestigkeit en...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Zusammengesetzter PNP-Transistor mit integrierten 2 gemeinsamen Emitterelementen RT2A00AM1

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RT2A00AM1 ist ein zusammengesetzter PNP-Transistor mit zwei integrierten PNP-Transistor-ISA1235AC1-Elementen. Durch die Verwendung dieses Transisto...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Bipolartransistor für Hochstromantrieb Silizium-PNP-Epitaxietyp 2SA1946

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Der 2SA1946 ist ein mit Harz versiegelter Silizium-PNP-Epitaxietransistor, der für einen großen Kollektorstrom und einen kleinen VCE (sat) entwicke...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Verbund-NPN-Transistor mit integrierten 2 Elementen mit gemeinsamem Emitter RT2C00M

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1.2 Stunden

RT2C00M ist ein zusammengesetzter NPN-Transistor mit zwei integrierten 2SC3052 NPN-Transistoren. Durch die Verwendung dieses Transistors ist es mög...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Bipolartransistor zur Ansteuerung großer Ströme. Epitaktischer Silizium-PNP-Transistor vom Typ 2SA1363

90+ Personen sehen dies

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1.2 Stunden

2SA1363 ist ein in Harz eingekapselter Silizium-PNP-Epitaxietransistor. Es wurde mit hohem Kollektorverlust und besonders hohem Kollektorstrom entw...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Verbund-NPN-Transistor mit integrierten 2 Elementen mit gemeinsamem Emitter RT2C00M-T150

110+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 21 Stunden

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RT2C00M ist ein zusammengesetzter NPN-Transistor mit zwei integrierten 2SC3052 NPN-Transistoren. Durch die Verwendung dieses Transistors ist es mög...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Bipolartransistor für Hochspannungsantrieb Silizium-PNP-Epitaxietyp 2SA1368

110+ Personen sehen dies

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1.2 Stunden

Der 2SA1368 ist ein in Harz eingekapselter Silizium-PNP-Epitaxietransistor. Es wurde für hohe Kollektorverluste und hohe Spannungsfestigkeit entwic...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Silizium-PNP-Epitaxie-Doppeltransistor für rauscharme Differenzverstärkung RT3A66M

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RT3A66M ist ein Silizium-PNP-Epitaxie-Doppeltransistor mit guten Paareigenschaften, der für die Differenzverstärkung ausgelegt ist. ■Funktionen ・...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Bipolartransistor für allgemeine Hochstromantriebe. Silizium-PNP-Epitaxietyp (Minityp) 2SA1366

120+ Personen sehen dies

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Der 2SA1366 ist ein ultrakleiner, harzvergossener Silizium-PNP-Epitaxietransistor, der für einen großen Kollektorstrom und eine hohe Durchbruchspan...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Silizium-PNP-Epitaxie-Doppeltransistor für rauscharme Differenzverstärkung RT3A66M-T150

120+ Personen sehen dies

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RT3A66M ist ein Silizium-PNP-Epitaxie-Doppeltransistor mit guten Paareigenschaften, der für die Differenzverstärkung ausgelegt ist. ■Funktionen ・...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Bipolartransistor für kleine Motoren und Kolbenantriebe. Silizium-PNP-Epitaxietyp 2SA1369

130+ Personen sehen dies

Zuletzt angesehen: vor 20 Stunden

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Der 2SA1369 ist ein mit Harz versiegelter Silizium-PNP-Epitaxietransistor, der für hohe Kollektorverluste und Kollektorströme sowie hohe hFE entwic...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Zusammengesetzter PNP-Transistor mit integrierten 2 unabhängigen Elementen RT3AMMAM1

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RT3AMMAM1 ist ein zusammengesetzter PNP-Transistor mit zwei integrierten PNP-Transistor-ISA1235A-Elementen. Durch die Verwendung dieses Transistors...

Isahaya Electronics Co., Ltd.

Widerstandshaltiger Transistor zum Schalten von epitaktischen Silizium-NPN-Transistoren der Serie RT1N130X

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1.2 Stunden

■Funktionen ・Eingebauter Vorspannungswiderstand (R1=1,0 kΩ) ・Set-Miniaturisierung und Montage mit hoher Dichte möglich ・Die RT1P130X-Serie ist a...







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